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2017年08期
智能电网
Smart Grid
主办单位：
国网智能电网研究院
主编：
孙佩京
出版周期：
月刊
语种：
中文
国际刊号：
2095-5944
国内刊号：
10-1140/TK
文献量：
758
被引量：
5115
下载量：
33432
基金论文量：
126
电话：
010-66601096 66601098
邮政编码：
102209
地址：
北京市昌平区未来科技城
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篇文献
高压大功率SiC 材料、器件及应用
超高压SiC电力电子器件及其在电网中的应用
邓小川 谭犇 万殊燕 吴昊 杨霏 张波
733-741
高能离子注入SiC后的离子分布和 损伤程度研究
陈杰 邓二平 赵志斌 郭楠伟 黄永章 杨霏
742-747
离子注入掺杂工艺研究
杨士慧 徐向前 田红林 张文婷
748-751
P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延 生长研究
刘兴昉 闫果果 桑玲 郑柳 钮应喜 王嘉铭 张峰 杨霏 杨香 樊中朝 孙国胜 曾一平 温家良 何志
752-756
器件特性参数对SiC MOSFET静动态 均流影响的实验研究
孙鹏 魏昌俊 柯俊吉 赵志斌 杨霏
757-764
1200 V/36 A SiC MOSFET短路特性的 实验研究
魏昌俊 孙鹏 柯俊吉 赵志斌 杨霏
765-772
SiC MOSFET欧姆接触的研究进展综述
吴昊 黄云辉 李玲 查祎英 杨霏
773-776
SiC MOSFET三维原胞研究与并联优化
张凯 罗小蓉 何清源 廖天 杨霏 王嘉铭 方健
777-780
具有单区JTE终端的3300 V 4H-SiC结势垒 肖特基二极管的研制
潘艳 田亮 张璧君 郑柳 查祎英 吴昊 李永平 杨霏
781-785
4H-SiC高压肖特基二极管研制
王永维 李永平 王勇 吴昊 李玲
786-789
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