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[标准] GB/T 12964-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本标准规定了硅单晶拋光片(简称硅抛光片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的硅单晶拋光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等,或作为硅外延片的衬底。
[标准] GB/T 12965-2018 中外标准
2018/09 未生效
[标准] GB/T 26071-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本标准规定了太阳能电池用硅单晶片(简称硅片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。本标准适用于由直拉法制备的硅单晶加工成的准方形或方形硅片,产品用于制作太阳能电池的衬底片。
[标准] GB/T 25076-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本标准规定了太阳能电池用硅单晶(简称硅单晶)的牌号、分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于直拉掺杂制备的圆形硅单晶经加工制成的准方形或方形硅单晶。产品经切割成硅片后进一步制作太阳能电池。
[标准] GB/T 36706-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本标准规定了磷化锢多晶的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于生产磷化锢单晶用的磷化锢多晶。
[标准] GB/T 35305-2017 中外标准
TJ 2017/12 现行
摘要:本标准规定了太阳能电池用砷化稼单晶抛光片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用砷化稼单晶抛光片(以下简称砷化稼抛光片)。
[标准] GB/T 35310-2017 中外标准
CP 2017/12 现行
摘要:本标准规定了直径200 mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书。本标准适用于在N型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片。产品主要用于制作集成电路或半导体器件。
[标准] GB/T 35316-2017 中外标准
2017/12 现行
摘要:本标准规定了蓝宝石晶体缺陷的术语和定义、形貌特征及产生原因。 本标准适用于蓝宝石单晶材料制备中各种缺陷的检验和分析。
[标准] GB/T 35307-2017 中外标准
CP 2017/12 现行
摘要:本标准规定了流化床法生产的颗粒硅的术语和定义、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于以硅烷气为原料,采用流化床法生产的颗粒状多晶硅产品。
[标准] GB/T 35308-2017 中外标准
TJ 2017/12 现行
摘要:本标准规定了太阳能电池用锗基Ⅲ-V族化合物外延片(以下简称"外延片")的术语和定义、分类及牌号、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用锗基Ⅲ-V族化合物外延片。
[标准] GB/T 25074-2017 中外标准
CP 2017/11 现行
摘要:本标准规定了太阳能级多晶硅的术语和定义、牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的棒状多晶硅或经破碎形成的块状多晶硅。
[标准] GB/T 34479-2017 中外标准
CJ 2017/10 现行
摘要:本标准规定了硅片或其他半导体晶片上字母数字标志的编码规范,包括标志的形状和尺寸、字母数字代码的定义、要求和字母数字错码检验方法等。 本标准适用于在硅片及其他晶片正面或背面的编码标志。 注:字母数字标志及关联信息存人数据库,可被简单的自动光学字符读数(OCR)仪或人工进行独立、快速识别,确保晶片制造商对晶片标记的一致性。
[标准] YS/T 1109-2016 中外标准
CP 2016/07 现行
摘要:本标准规定了有机硅用硅粉的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)的内容。本标准适用于以工业硅为原料机械加工而成、用于有机硅生产的硅粉。
14. 粗硒
[标准] YS/T 1154-2016 中外标准
CP 2016/07 现行
摘要:本标准规定了粗硒的要求、试验方法、检验规则、包装、贮存、质量证明书及订货单(或合同)等内容。本标准适用于从铜、铅电解阳极泥中提取的粗硒。本产品主要用于精硒、二氧化硒生产的原料。
[标准] GB/T 32651-2016 中外标准
TF 2016/04 现行
摘要:本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。 本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定,其中铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、 硼(B)、磷(P)、钙(Ca)、钠(Na)、镁(Mg)、铝(A1)、砷(As)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、锰(Mn)、钴(Co)、镓(Ga)等元素的测定范围为5 pg/kg〜50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料,例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。
[标准] GB/T 32573-2016 中外标准
TF 2016/02 现行
摘要:本标准规定了利用感应炉燃烧后红外吸收法测定硅粉中总碳含量的方法。 本标准适用于生产多晶硅的原料硅粉中总碳含量的测定。测定范围为0.001%〜1.0% (质量分数)。
[标准] GB/T 32279-2015 中外标准
TF 2015/12 现行
摘要:本标准规定了硅片订货单的格式要求和使用。 本标准适用于硅单晶研磨片、硅单晶拋光片、硅单晶外延片、太阳能电池用硅单晶切割片、太阳能电池用多晶硅片的订货单格式,其他半导体材料的订货单可参照本标准执行。
[标准] GB/T 12962-2015 中外标准
CP 2015/12 现行
摘要:本标淮规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的桂单晶。产品主要用于制作半导体元器件。
[标准] SJ/T 11552-2015 中外标准
TF 2015/10 现行
摘要:本标准规定了以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量的方法。 本标准适用于测试室温下电阻率大于5Ω·cm的硅单晶中间隙氧含量,特别适用于薄硅片样品中氧含量的测量。氧含量的有效范围从1×1016at·cm-3至硅单晶中间隙氧的最大固溶度。
[标准] GB/T 31854-2015 中外标准
TF 2015/07 现行
摘要:本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质铁、铬、镍、铜、锌含量的测定。
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