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[标准] GB/T 4937.13-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法,以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试 验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。 本试验是破坏性试验。 本试验总体上符合IEC 60068-2-11,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。
[标准] GB/T 4937.14-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本部分规定了几种不同的试验方法,用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当 电路板装配错误造成引线弯曲,为了重新装配对引线再成型加工时,进行此项试验。对于气密封装器件,建议在本试验之后按IEC 60749-8进行密封试验,以确定对引出端施加的应力是否对密封也造成了不良影响。 本部分的每一个试验条件,都是破坏性的,仅适用于鉴定试验。 本部分适用于所有需要用户进行引线成型处理的通孔式安装器件和表面安装器件。
[标准] GB/T 4937.20-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本部分规定了塑封表面安装半导体器件(SMD)的耐焊接热评价方法。该试验为破坏性试验。
[标准] GB/T 4937.19-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤 的完整性(基于本试验方法的目的,本部分中半导体芯片包括无源元件)。 本部分适用于空腔封装,也可作为过程监测。不适用于面积大于10 mm2的芯片,以及倒装芯片和易弯曲基板。
[标准] GB/T 4937.12-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本部分的目的是测定在规定频率范围内,振动对器件的影响。本试验是破坏性试 验,通常用于有空腔的器件。 本试验与GB/T 2423.10—2008基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。
[标准] GB/T 4937.21-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本部分规定了采用铅锡焊料或无铅焊料进行焊接的元器件封装引出端的可焊性试 验程序。 本试验方法规定了通孔、轴向和表面安装器件(SMDs)的“浸入和观察”可焊性试验程序,以及可选的SMDs板级安装可焊性试验程序,用于模拟在元器件使用时采用的焊接过程。本试验方法也规定了老化条件,该条件为可选。 除有关文件另有规定外,本试验属于破坏性试验。
[标准] GB/T 4937.22-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)。 本部分的目的是测量键合强度或确定键合强度是否满足规定的要求。
[标准] GB/T 4937.17-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集 成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用,是一种破坏性试验。 试验目的如下: a)检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系; b)确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内 (见第4章)。
[标准] GB/T 4937.11-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本部分规定了快速温度变化——双液槽法的试验方法。当器件鉴定既可以采用空 气-空气温度循环又可以采用快速温度变化——双液槽法试验时,优先采用空气-空气温度循环试验。本试验也可采用少量循环(5次〜10次)的方式来模拟清洗器件的加热液体对器件的影响。 本试验适用于所有的半导体器件。除非在有关规范中另有说明,本试验被认为是破坏性的。 本试验与GB/T 2423.22—2002基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。
[标准] GB/T 4937.201-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本部分适用于采用再流焊工艺和暴露于大气环境中的所有非气密封装表面安装器 件(SMD)。
[标准] GB/T 4937.18-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行60Co γ射线源电离辐射总剂量试验提供了一种试验程序。 本部分提供了评估低剂量率电离辐射对器件作用的加速退火试验方法。这种退火试验对低剂量率辐射或者器件在某些应用情况下表现出时变效应的应用情形是比较重要的。 本部分仅适用于稳态辐照,并不适用于脉冲型辐照。 本部分主要针对军事或空间相关的应用。 本试验可能会导致辐照器件的电性能产生严重退化,因而被认为是破坏性试验。
[标准] GB/T 4937.30-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本部分规定了非密封表面安装器件(SMDs)在可靠性试验前预处理的标准程序。 本部分规定了SMDs的预处理流程。
[标准] GB/T 4937.15-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本部分规定了耐焊接热的试验方法,以确定通孔安装的固态封装器件承受波峰焊或 烙铁焊接引线时产生的热应力的能力。 为制定具有可重复性的标准试验程序,选用试验条件较易控制的浸焊试验方法。本程序为确定器件组装到电路板时对所需焊接温度的耐受能力,要求器件的电性能不产生退化且内部连接无损伤。 本试验为破坏性试验,可以用于鉴定、批接收及产品检验。 本试验与IEC 60068-2-20基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。
[标准] GB/T 36613-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本标准规定了发光二极管芯片(以下简称“芯片”)光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测条件和点测方法。本标准适用于批量生产的可见光发光二极管正装芯片和薄膜芯片的检测方法。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。
[标准] GB/T 36361-2018 中外标准
2018/06 未生效
摘要:本标准规定了通过恒定温度应力加速寿命试验得到LED光通维持寿命的试验方法。本标准适用于光通量慢退化失效模式的可见光LED。
[标准] GB/T 36362-2018 中外标准
2018/06 未生效
摘要:本标准规定了LED应用产品可靠性试验的点估计和区间估计的数据获取和处理方法。本标准适用于服从指数分布或近似服从指数分布的LED应用产品的可靠性试验的实验室试验数据处理和现场使用数据处理。
[标准] SJ/T 11141-2017 中外标准
CF 2017/11 现行
摘要:本规范规定了LED显示屏的术语和定义、分类、技术要求、检验方法、检验规则,以及标志、包装、运输和贮存要求。本规范适用于LED显示屏产品。
[标准] SJ/T 11281-2017 中外标准
TF 2017/11 现行
摘要:本标准规定了发光二极管(LED)显示屏的机械、光学、电学等主要技术性能参数的测试方法。本标准适用于发光二极管(LED)显示屏(以下简称显示屏)的测试。
[标准] GB/T 249-2017 中外标准
CJ 2017/05 现行
摘要:本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则、组成部分的符号及其意义。 本标准适用于各种半导体分立器件。
[标准] SJ/T 11461.6.2-2016 中外标准
TF 2016/10 现行
摘要:本部分规定了有机发光二极管(OLED)显示模块和显示屏视觉质量和亮室环境性能的标准测试条 件和测试方法。
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