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发明专利 CN201810314322.1
摘要:本发明公开了一种分层蛇形多晶硅铸锭炉石墨侧加热器,涉及光伏设备铸锭技术领域,包括8片侧加热器单体、3个吊臂、3个电极和4块角连接板,侧加热器单体为蛇形且按每层4片构成上层侧加热器和下层侧加热器,吊臂中下段与上层侧加热器、下层侧加热器连接,使得上层侧加热器和下层侧加热器并联连接,吊臂将侧加热器分为均等的三相,电极连接于吊臂顶端,角连接板连接上层侧加热器单体和下层侧加热器单体且连接同一层内左右相邻的侧加热器单体。本发明将侧加热器设计为上下两层并联结构,可有效降低侧加热器的电阻,提高侧加热器的峰值功率;平衡了G8以及更大尺寸铸锭炉对石墨侧加热器功率和厚度的双重要求。
实用新型 CN201820259173.9
摘要:本实用新型公开了一种多晶铸锭炉防护装置,包括底座,所述底座下端左右两侧均设置有滑轮,所述底座内部设置有安装槽,所述安装槽中部顶端设置有电机,所述电机下端通过电机轴连接转轴,所述转轴下端通过第一轴承连接底座,所述转轴下部设置有主动轮,所述安装槽左右两侧均设置有螺杆。本实用新型在结构上设计合理,实用性很高,滑轮便于铸锭炉的移动,使其移动起来方便、省力,移动板通过伸缩杆在固定座内滑动,再经第一弹簧缓冲,能起到很好的缓冲作用,保护装置在受到外力作用时不会受到力的冲击,横板上端设置的竖杆、第一横杆和第二横杆均为工作人员在上到横板上作业时提供防护,避免发生掉落,横板上设置的防滑垫可防止工作人员滑倒。
实用新型 CN201820259176.2
摘要:本实用新型涉及一种溢流预警的多晶铸锭炉,包括铸锭炉本体、隔热笼、石墨平台、热交换平台、石墨支撑柱和用于对整机的电气设备和电气元器件进行控制的控制柜,还包括溢流棉,固定在铸锭炉本体外底部用于收纳相关电气设备和电气元器件的连接线的收纳箱,用于测量隔热笼内温度的热电偶及测量铸锭炉本体表面温度的测温检测器,所述的溢流棉带有米字形孔,所述溢流棉的米字形孔被锥形溢流棉包裹。本实用新型可有效的防止硅液溢流未熔断溢流丝或未触发报警而导致加热器不能自动断开持续加温不被发现的安全隐患。同时,可有效防止硅料流入多晶铸锭炉下炉体底部,损坏多晶铸锭炉,将损失降到最低。
发明专利 CN201810127256.7
摘要:本申请公开了一种无机化合物,其特征在于,所述无机化合物的化学式为:M2Ge(IO3)6其中,M为Li和/或Na;所述无机化合物属于六方晶系,空间群为P63,晶胞参数为α=β=90°,γ=120°,Z=1。该无机化合物表现出强的倍频效应,其粉末SHG系数超过KH2PO4(KDP)的15倍,最高可达32倍;在2.05μm激光照射下测得其粉末SHG系数为KTiOPO4(KTP)晶体的2或0.8倍,且能实现相位匹配,是具有潜在应用价值的非线性光学材料。
实用新型 CN201820232977.X
摘要:本实用新型公开了一种单晶炉四抽气口管道系统,包括单晶炉室、主管道、真空阀和真空泵;双抽气口的结构使单晶炉室室内的气流分布和温度场分布不均匀,在远离抽气口严重影响硅棒品质;右下第二抽气支管道和右下第一抽气支管道、右上第二抽气支管道和右上第一抽气支管道与左上第一抽气支管道和左上第二抽气支管道之间连接处均设置有密封圈,且单晶炉室的左右两端的上下两侧均设有抽气管道,采用这种对称结构均匀分布的抽气口设置,同时采用真空泵,真空阀用于真空泵的控制,可以有效的解决传统双抽气口结构使单晶炉室的气流分布和温度场分布不均匀的现象,改善了工艺环境,使用起来操作方便快捷,实用性很高,大大了提高硅棒生产的质量。
发明专利 CN201810088196.2
中国科学院福建物质结构研究所 中国科学院大学 2018-01-30
摘要:本申请涉及一种制备高氘DKDP晶体原料的合成罐装置,其特征在于,包括底座、合成容器和盖子;所述底座向上支撑所述合成容器,所述盖子位于所述合成容器顶部;所述底座上设置有震动台。该合成罐装置及基于该装置的合成方法能够实现DKDP原料合成的精准控制,合成大批量、高纯度的DKDP原料,与传统合成装置相比,具有利用率高、高自动化连续生产、高精度、高纯度、操作简便等优点。
发明专利 CN201810088200.5
摘要:本申请公开了一种制备大尺寸Zn4B6O13单晶的方法,其特征在于,以用乙酸锌、氧化锌和氧化硼为主要原料,采用熔盐生长大尺寸零膨胀材料ZBO晶体。该方法制备得到的大尺寸ZBO单晶,在热功能材料领域、精密光学功能和精密机械部件的制造等领域有着重要的应用前景。
发明专利 CN201810092243.0
摘要:一种应用节能型热场的单晶炉,包括二层平台、设置在二层平台上方的炉体、设置在二层平台下方的驱动部件、坩埚位置标识装置,炉体包括外炉筒和设置在内部的热场,热场包括坩埚、安装座、加热器、热屏组件、保温层,所述热场还包括中排气组件,在下炉筒的侧壁上对称设置第一排气套和第二排气套,中排气组件包括第一排气管、第二排气管、排气环,第一排气管、第二排气管对称设置在加热器的两侧,第一排气管的上端与排气环连接,第二排气管的上端与排气环连接,排气环包括内侧环壁、外侧环壁、环底,本发明通过中排气组件的设置,将与热场气氛直接连接的进气口设置在热场中上部,如此,不仅解决了因排气带走热量的问题,也不存在挥发物堵塞排气管的问题。
发明专利 CN201810091469.9
摘要:本发明提供了一种镨钬铈共掺杂大功率激光晶体材料的制备方法,包括配料、烧结、晶体生长、降温等步骤;该镨钬铈共掺杂大功率激光晶体材料化学式为:Gd3‑x‑y‑zCexHoyPrzSc2Ga3O12;其中,0.20≤x≤0.36,0.06≤y≤0.14,0.16≤z≤0.22。本发明提供的镨钬铈共掺杂大功率激光晶体材料制备工艺简单,荧光效率高,输出时间快,荧光效率高,可实现大功率输出。
发明专利 CN201810090435.8
摘要:本发明提供的一种镨钬铈共掺杂大功率激光晶体材料,其化学式为:Gd3‑x‑y‑zCexHoyPrzSc2Ga3O12;其中,0.20≤x≤0.36,0.06≤y≤0.14,0.16≤z≤0.22。本发明还提供了上述镨钬铈共掺杂大功率激光晶体材料的制备方法,包括配料、烧结、晶体生长、降温等步骤。本发明提供的镨钬铈共掺杂大功率激光晶体材料制备工艺简单,荧光效率高,输出时间快,荧光效率高,可实现大功率输出。
发明专利 CN201810068881.9
新疆工程学院 2018-01-24
摘要:本发明公开了一种晶体生长炉温度控制系统。该系统包括:三个加热器、温度检测器和主控制器;主控制器将通过温度检测器采集的晶体生长炉内不同高度处的温度值进行记录,并按照晶体生长炉内的空间划分为上下温度区域;将上温度区域内的平均温度值和设定炉内温度值进行对比,计算出上温度区域内的温度偏差值,通过PID算法,获得输出值,根据输出值控制上部加热器的电源功率输出值;同理,获得中部加热器的电源功率输出值和底部加热器的电源功率输出值。本发明通过对晶体生长炉内的温度分区进行独立的PID控制调节三个加热器,调节方便,调节精确度高,调节速度快,受热均匀,保证了晶体生长的可靠温度环境,且提高了晶体生长周期。
发明专利 CN201810069412.9
摘要:本发明涉及晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法,所述坩埚是与制备的晶体侧面相接触的坩埚,所述坩埚具有环式非闭合拼接结构。该晶体生长用坩埚具有环式非闭合拼接结构,因此可以避免紧箍晶体,从而使晶体生长过程中在晶体内聚集形成的热应力得到有效释放,降低晶体的开裂率,提高晶体的成品率。
发明专利 CN201810066834.0
摘要:本发明公开了一种多晶硅铸锭炉用碳碳盖板的制备方法,包括如下步骤:1.将碳纤维编织成双向碳布;2.对双向碳布进行高温预处理以提高碳纤维的表面活性;3.将预处理过的双向碳布制备成酚醛树脂预浸料;4.通过挤压的方法将预浸碳布丝束展宽;5.预浸碳布铺层并热压固化成型得到树脂基模压板;6.碳化处理;7.树脂浸渍‑碳化工艺增密;8.石墨化处理;9.表面涂层处理;10.机械加工。与现有技术相比,本发明具有盖板产品层间强度高、纤维含量高、平整性好、使用寿命长等特点,大大增强盖板产品的刚度,有效改善板材使用变形问题,可提高板材的表面性能及抵抗硅液侵蚀破坏能力,生产成本低。
发明专利 CN201810063991.6
摘要:本发明是一种低氧高效硅锭的制备方法,具体包括以下步骤:(1)氮化硅涂层制备;(2)将(1)制得的氮化硅溶液利用刷涂的方式刷涂到坩埚四壁及坩埚底部;(3)按照常规的装料方式,先籽晶小料—回收料—常规块料等步骤;(4)按照常规流程将G6硅料装入G6多晶炉,安装保温条后正常合炉抽真空,加热到1550‑1570℃,使得硅料完全融化后;(5)利用20‑30min使得炉内压力由常规的600mbar降低到100‑200mbar,后在此压力下保压2‑4h,低压过程结束后,利用20‑30min使得炉压恢复到600mbar;本发明减少了坩埚中氧对于硅锭的扩散作用,同时本发明增加坩埚内熔体的对流作用,使得沉积在坩埚底部的氧在对流作用下排出到硅液表面,经大的氩气流量带出炉腔,从而达到降低尾氧的作用。
发明专利 CN201810057860.7
暨南大学 2018-01-22
摘要:本发明公开了一种面向0.95~1.65微米全固体激光器的近红外铋钽双掺激光晶体,涉及近红外激光增益材料领域,该激光晶体中,铋离子作为激活离子,钽离子具有双重作用,一方面,既可作为铋离子的电荷补偿离子,使得铋离子有效发射0.95~1.65微米荧光,另一方面,又可作为铋离子之间的隔断离子,打破铋离子团簇,有利于晶体的近红外发光,实现增强荧光输出,降低激光阈值和提高激光效率。该激光晶体可以用于0.95~1.65微米的激光输出,在医疗、科研及军事等领域有着重要的应用前景。
发明专利 CN201810056831.9
摘要:本发明涉及单晶硅片制备领域,公开了一种单晶硅片制绒用的硫酸软骨素‑聚(乙烯基吡咯烷酮‑乙烯基吡啶)共聚物的制备方法,包括以下步骤:将硫酸软骨素溶解到去离子水中,在惰性气体保护下,依次加入硝酸铈铵、乙烯基吡咯烷酮和乙烯基吡啶;升温进行反应,将反应体系沉淀到有机溶剂中,过滤收集沉淀出的产物,并用有机溶剂冲洗,烘干得到共聚物。本发明的合成工艺简便易行,制得的共聚物用于制绒添加剂中时,既能保持快速脱泡能力,又能逐渐减缓反应的进行,维持单晶硅片理想的绒面金字塔结构,制绒后单晶硅片表面的绒面金字塔的尺寸呈现双峰分布,硅片反射率低。
发明专利 CN201810057021.5
摘要:本发明涉及单晶硅片制备领域,公开了一种具有双峰金字塔绒面结构的单晶硅片,所述单晶硅片制绒后的绒面上随机分布有两种尺寸范围的金字塔结构:3‑6微米的大金字塔,0.5‑2微米的小金字塔;其中所述大金字塔的面积占比为75‑95%,所述小金字塔的面积占比为5‑25%。本发明的单晶硅片制绒后的绒面上的金字塔具有双峰结构,即具有两种特定尺寸类型的大小金字塔随机掺杂分布,且其各自分布相对均匀,金字塔形貌维持效果较佳。经测试,与单一尺寸的金字塔绒面相比,具有更低的反射率。
发明专利 CN201810049398.6
北京大学 2018-01-18
摘要:本发明公开了一种双晶制备热压炉及其控制方法。本发明的上顶杆、下顶杆、模具、上模芯和下模芯均采用碳化硅SiC,胶合好的两个单晶样品置于模具中,且位于上模芯与下模芯之间,模具放置在下顶杆的顶端,上顶杆的底端抵在上模芯的顶端;通过转动摇杆对上顶杆施压,以调整样品所受到的压力;通过压力传感器监测压力;在大气环境中,通过控温系统控制加热炉内的升温速率、最终温度、保温时间和降温速率;SiC材料可承受很高的温度(1500℃),同时有较高的强度;本发明在大气中进行即可,不需要对加热系统、模具等进行抽真空,也不需要对加热系统、模具等进行保护气体保护,装置构造简单,操作方便,完全满足双晶制备的要求。
发明专利 CN201810051182.3
摘要:一种氧化石墨烯基晶硅制绒添加剂及制备方法和利用其制备硅太阳能电池绒面的方法,它涉及一种硅制绒添加剂及制备方法和利用其制备硅太阳能电池绒面的方法。本发明的目的是要解决现有金刚石切割硅片后进行酸制绒无法获得理想的绒面,制备的硅太阳能电池绒面的反射率高的问题。一种氧化石墨烯基晶硅制绒添加剂按重量份数由94份~100份质量分数为0.1%~2%的氧化石墨烯水分散液和0份~6份有机试剂制备而成;方法:一、称料;二、超声分散。单晶硅太阳能电池绒面制备方法:一、制备反应液;二、加热反应液;三、反应。多晶硅太阳能电池绒面制备方法:一、制备反应液;二、冷却反应液;三、反应。本发明适用于制备硅太阳能电池绒面。
发明专利 CN201810030902.8
摘要:本发明涉及一种八边形多晶硅铸锭的制造方法及其制造设备,通过将石英坩埚设计成八边形,同时设置保温结构、加热结构及护板结构,其可以使铸锭炉设备上提高产量40%,并大幅提高加热效率,降低单位产品能耗40%以上,以上两个方面的作用可导致太阳能电池发电成本大幅下降,为太阳能发电平价上网做出突出贡献,与现有四方形硅锭相比,八边形硅锭在四个角部的方棒受氧原子扩散的影响明显降低,降低了后期电池片的光致衰减,提高了太阳能电池的效率。
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