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[专利] 发明专利 CN201910980116.9
摘要:本发明提供了一种外延生长装置和一种外延生长方法。所述外延生长装置的生长腔室上设置有允许用于在晶片上形成外延层的反应气体进入生长腔室内的进气口,当进行外延生长工艺的晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且外延层在较快区比在较慢区生长更快时,进气口在较快区旋转经过时提供的反应气体的进气速率小于在较慢区旋转经过时提供的反应气体的进气速率。所述外延生长装置可以调节外延层在不同晶向上的沉积,有助于获得厚度均一的外延层,提高外延晶片的质量。所述外延生长方法与所述外延生长装置具有相同或类似的特点,可以不改变外延生长装置的结构而提高外延层的厚度均一性,降低外延晶片的局部平直度,灵活性高。
[专利] 发明专利 CN201911081896.X
摘要:本发明公开了一种锑化物晶体生长装置及生长方法。本发明通过将高纯原料置于船形石英坩埚内,船形石英坩埚的一端的籽晶槽内装有籽晶,升温使高纯原料反应并熔化成锑化物熔体,熔体与籽晶接触后开始晶体生长,一次晶体生长之后,通过多次单晶区熔进行提纯,降温冷却后得到锑化物晶体。该生长方法工序简单、效率高,且得到的锑化物晶体结晶性能良好,无开裂,无气泡、夹杂等缺陷,单晶重复率较高,成晶率达到90%~100%。
[专利] 实用新型 CN201920123702.7
摘要:本实用新型属于晶体生产加工设备技术领域,特别是涉及用于宝石生产加工的一种改进型宝石真空生长炉。包括炉壳和盖设在炉壳顶部的炉盖,所述炉壳内安装有坩埚和加热器,且所述加热器外置于坩埚,所述炉盖上安装有伸入炉壳内的籽晶杆,所述籽晶杆位于坩埚上方,所述坩埚顶部置放有保温环,所述保温环的内腔与坩埚内腔连通形成宝石置放腔,所述宝石置放腔内填充有保温砂,所述保温环顶部盖设有保温盖。本实用新型的有益效果是:生长炉可以快速实现宝石生长和退火的功能切换,功能多样化,提高了使用率,降低了成本,通过保温环、保温盖、保温砂配合提高宝石的退火效果,保证了宝石的质量。
[专利] 实用新型 CN201920420827.6
摘要:本实用新型涉及电解设备技术领域,名称是具有滑道的金刚石合成块电解装置,包括一个电解槽,在槽体内安装有阴极和阳极,所述的阳极连接电源的正极,所述的阴极连接电源的负极,所述的正极是石墨板,所述的阴极是钢板,所述的电解槽具有两个上面的侧边,还有横杆的两端放置在电解槽上面的两个侧边上;所述的侧边上具有滑道,所述的滑道的长度方向是平行于阴极和阳极连线方向的,所述的横杆端部插入第一滑轮中,并且第一滑轮放置在滑道上,所述的阴极和阳极两端具有放置在滑道上的第二滑轮,第二滑轮放置在滑道上,这样的金刚石合成块电解装置具有可以方便调整合成块在阴极和阳极之间的位置、使用方便的优点。
[专利] 发明专利 CN201910986832.8
摘要:本发明提供了一种硅料的检测方法,用于同时检测不同批次的硅料,包括:提供多个坩埚,将待检测的所述不同批次的硅料分别盛放于所述多个坩埚中;将盛放有所述硅料的多个所述坩埚置于同一铸锭炉中铸锭;将铸锭后每一所述坩埚制得的硅锭进行检测,将所述硅锭的检测参数与预设参数比较,确定所述硅锭对应的所述硅料的合格程度,所述预设参数包括预设硅锭少子寿命值和预设硅锭电阻率值中的至少一种。通过将多个坩埚同时置于同一铸锭炉中,对不同批次的硅料进行同时铸锭,检测制得的硅锭进而判断硅料是否合格;该方法可以一次性检测多个批次的硅料,减少检测时间,且检测方法简单快速,降低检测成本,加快硅料质量的检测,有利于降低硅锭的制备成本。
[专利] 发明专利 CN201880035191.1
摘要:一种氮化物晶体基板,其由III族氮化物的晶体形成,且含有n型杂质,将波长设为λ(μm)、将27℃下的氮化物晶体基板的吸收系数设为α(cm‑1)、将氮化物晶体基板中的自由电子浓度设为n(cm‑3)、将K和a各自设为常数时,在至少1μm以上且3.3μm以下的波长范围内的吸收系数α由以下的式(1)(α=nKλa,其中,1.5×10‑19≤K≤6.0×10‑19、a=3)进行近似。
[专利] 发明专利 CN201910963279.6
摘要:本发明涉及单晶硅生产技术,特别涉及直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法。包括以下步骤:(1)设置CCD摄像机,根据原始热场设计获得参照物直径Ф1,晶体实际直径,记为Ф;(2)晶体实际生长过程中,CCD摄像机计算得到图像中参照物直径记为φ1,参照物在硅熔体表面的倒影直径φ2,晶体与液面交界面图像,将此时晶体直径记为φ;(3)CCD捕捉到图像中参照物在液面垂直投影直径可近似计算φ3=(φ1+φ2)/2,直径Ф1=Ф3,图像中φ/φ3=Ф/Ф3=Ф/Ф1,即Ф=Ф1×(φ/φ3)=Ф1×[2φ/(φ1+φ2)]。本发明装置最终实现准确测量晶体直径和实时测量,从而提高晶体直径控制精度和工艺稳定性。
[专利] 发明专利 CN201911045993.3
摘要:本发明提供了一种高效多晶硅铸锭方法,包括:以原生多晶硅和籽晶为原料,采用定向凝固法铸锭形成大方锭,并对大方锭进行开方以得到合格的多晶硅锭,同时得到头料顶皮、边皮顶皮和籽晶尾料;对头料顶皮、边皮顶皮和籽晶尾料进行一次回炉,以得到回炉锭,回炉锭铸锭过程中铺上籽晶;取少子寿命大于第一阈值的回炉锭,并计算该回炉锭的平均少子寿命;对于平均少子寿命大于第二阈值的回炉锭,进行划线处理,从尾部划线位置开始往上预设距离进行切片,将切片得到的硅棒直接作为高效多晶硅,对剩余部分进行提纯,以得到提纯锭。本发明能够现有技术中原料浪费的问题,降低高效多晶硅铸锭的投料成本。
[专利] 发明专利 CN201911052834.6
摘要:本发明公开了一种中红外非线性光学晶体POC及其制备方法。所述晶体POC为一种熔融化合物,该晶体的熔点为526℃,属于正交晶系,其空间群为Fmm2(42),晶胞参数为Z=3。制备方法为:将PbCl2与PbO混合均匀后的粉末装入到坩埚中加热,自然冷却至室温后取出,进行充分研磨后,得到POC晶料;将POC晶料装入坩埚中置于炉内,将晶体炉升温;调整坩埚位置,让坩埚内的晶料完全充分熔融,下降引下管,进行晶体生长;然后退火处理即可。本发明减少了PbO和PbCl2的挥发,极大提高了POC单晶的成品率。
[专利] 实用新型 CN201920617251.2
摘要:本实用新型主要应用于半导件外延生长设备,具体涉及一种用于碳化硅外延的气体分流装置。包括分流腔室;分流腔室前端设有分流板与分流罩,分流腔室分流板上设有若干横向的通孔;分流罩内部中空并设有两个横向的隔板,将罩体按1:3:1体积比隔开;分流腔室内在相应位置也设有两块隔板,将分流腔室分为三部分,各个部分后端各设有一根金属波纹卡套管;分流腔室外部设有锁紧装置。本实用新型结构简单,设计合理,实现难度不大,维护方便。
[专利] 发明专利 CN201911000270.1
摘要:本发明公开了单品硅热场坩埚用生产智能加工设备,包括保温筒和机械桁架,所述机械桁架的上方设置有固定横梁,所述固定横梁上设置有横梁滑轨,所述固定横梁的左右两端上均设置有固定滑座,所述固定滑座的下方设置有伸缩夹持臂,所述固定横梁中间位置处的下方设置有顶部轴承,所述顶部轴承的下方设置有上炉腔;本发明还提出了一种单品硅热场坩埚用生产智能加工设备的加工方法;本发明不仅解决了制备过程中因高温导致的不方便对其进行移动的问题,还对原有的设备加工单品硅进行改善,使得单品硅制备加工出来的纯度高,杂质少,给加工生产带来便捷,从而达到方便对设备进行移动调节,制备出的产品更加优质的目的。
[专利] 发明专利 CN201810739172.9
摘要:本申请提供了一种多孔氮铁单晶材料及其制备方法和应用,所述多孔氮铁单晶材料中含有10nm~1000nm的孔。该材料具有多孔结构,具有大尺寸。多孔氮铁单晶作为一种新材料,在电催化领域以及电化学能源存储系统中都有潜在的应用。此外,多孔氮铁单晶作为非贵金属催化剂,具有催化活性高、稳定性优良等特点。
[专利] 实用新型 CN201920190721.1
摘要:本实用新型提供了一种热交换法生长稀土离子掺杂的氟化物晶体的石墨坩埚,包括坩埚体,石墨坩埚为多孔圆柱体石墨坩埚,圆柱体底部为凸字形结构;沿所述圆柱体的轴中心线位置设置有一贯穿的圆柱体散热孔,所述散热孔顶端开口、底部封闭;在散热孔周围分布有3‑24个空腔,所述空腔表面覆盖有坩埚盖,坩埚盖上设置有通气孔。该多孔石墨坩埚具有结构简单,易于加工,可以单次生长多根不同种类及不同浓度稀土离子掺杂的氟化物晶体,且每个坩埚配有独立的坩埚盖,最大程度减少熔体挥发,防止不同晶体之间的交叉污染。
[专利] 实用新型 CN201920405246.5
摘要:本实用新型公开了一种蓝宝石单晶炉的保温结构,包括顶盖,所述顶盖底端设置有挤压板,所述挤压板一侧均匀卡接有钨杆,本实用新型结构科学合理,使用安全方便,利用顶盖、挤压板、螺杆和螺母,便于对钨杆进行安装和拆卸,方便快捷,再利用钨杆、第一半铜环和第二半铜环,便于有效的分布该结构的温度范围,从而快速的提高其内部的温度,提高了效率的同时,进而降低了加热成本,方便实用,利用护罩、保温屏板和防护膜,便于挡住了大部分发热体的热辐射,使得隔热屏温度不高而有效的保护了隔热屏,再利用孔屏和孔洞,便于其自身在受热时,可以吸纳95%的变形应力,所以此件可以持久维持自身形状,经久耐用不变形。
[专利] 发明专利 CN201911048808.6
摘要:本发明涉及MPCVD设备技术领域,具体是一种用于MPCVD的张紧装置,用于解决现有技术中不能及时的测量和调节MPCVD设备中连杆张紧力的问题。本发明包括反应腔体、波导腔体和连杆,所述连杆上还安装有位于波导腔体下方的张紧装置,所述张紧装置包括张紧组件、弹性元件、托盘、预紧件、张紧件和称重传感器,所述称重传感器与显示器电性连接。本发明中由于连杆的张紧力发生变化会导致弹性元件的预紧力发生变化,而通过张紧装置中的重力传感器可以随时的测量出弹性元件的预计力并显示在显示器上,所以通过显示器可以随时看到连杆张紧力的变化,从而可以及时的测量出连杆张紧力的变化,进而可以及时的对连杆的张紧力进行调整。
[专利] 发明专利 CN201911116671.3
摘要:本发明属于晶体生长技术领域,为一种稳定提拉法晶体生长界面的控制装置和方法;方法包括实时测量晶体生长的重量,将测量的晶体重量与其理论重量作差,根据两者的差值采用PID控制算法控制晶体生长所需的加热功率;实时测量料棒的重量,并将测量得到的晶体重量与料棒重量之和作为整体重量,根据整体重量与其初始重量的差值,采用PID控制算法控制料棒下降速度;采用CCD旋转装置对CCD光学放大装置进行旋转,光学放大装置实时测量晶体基准线灰度值对应的位置与测量基准线中线的距离,根据该距离与其初始距离的差值采用PID控制算法控制晶体旋转速度;本发明能维持晶体生长界面的稳定,保证晶体外形符合设定尺寸要求。
[专利] 发明专利 CN201911037743.5
电子科技大学 2020-01-14
摘要:本发明提供一种基于界面水膜驱动的单层胶体晶体的自组装方法,属于纳米加工技术领域。本发明方法利用超亲水基片表面水膜极强的毛细作用力来驱动玻璃容器中水‑空气界面的胶体粒子自发地组装在基片表面,从而获得芯片级或晶圆级的高质量单层胶体晶体,具有团聚颗粒覆盖率低、大面积微观有序性好、晶界少等显著优点。
[专利] 发明专利 CN201880035062.2
摘要:本申请公开了氧化型谷胱甘肽二阳离子盐的晶体及其制造方法。
[专利] 发明专利 CN201910823514.X
摘要:本申请公开一种微粉级立方氮化硼单晶的合成方法,属于超硬材料的合成技术领域,包括如下步骤:(1)以hBN为原料,Li3BN2、Li3N和NH4Cl的混合物作为触媒,均匀混合,得到触媒,触媒和hBN按质量比为(10~20)︰(90~80)均匀混合后压制成圆柱体;(2)将上述步骤中压制的圆柱体装入石墨加热管中组装成合成棒,再装入叶腊石组装块中组成合成块;(3)将步骤(2)的组装块放入六面顶压机的高压腔中,在70~83MPa、4.0~4.8KW下进行加压加热;(4)将步骤(3)得到的高温高压合成物取出,经过破碎、注水浸泡、摇床精选、常规酸碱处理即可得到立方氮化硼晶体。
[专利] 发明专利 CN201911119048.3
摘要:本发明提供一种适用于大口径喉口的复投装置,包括复投筒、复投卡接装置、喉口卡接装置和提升装置,其中,提升装置与复投筒滑动连接,便于复投投料;复投卡接装置设于复投筒进料端,且复投卡接装置与喉口卡接装置接触配合,喉口卡接装置与隔离阀室可拆卸连接,便于复投筒卡接在隔离阀室上,进行复投投料。本发明的有益效果是具有喉口卡接装置,同时,在复投筒的进料端安装有复投卡接装置,通过复投卡接装置与喉口卡接装置相配合,喉口卡接装置与隔离阀室的顶端卡接,使得复投筒的进料端卡接在隔离阀室内,满足大尺寸复投筒复投要求,满足更大范围单晶直径的拉制要求。
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