绑定机构
扫描成功 请在APP上操作
打开万方数据APP,点击右上角"扫一扫",扫描二维码即可将您登录的个人账号与机构账号绑定,绑定后您可在APP上享有机构权限,如需更换机构账号,可到个人中心解绑。
欢迎的朋友
导航
万方知识发现服务平台
排序:
范围:
发明专利 CN201810091580.8
摘要:本发明属于激光加工领域,具体涉及一种激光焊接系统及其焊接方法。包括:控制器,多维微纳移动平台,激光产生器,激光传输镜组,高倍显微镜,光电传感器,显示器;控制器控制激光产生器及多维微纳平台的运动;高倍显微镜和激光产生器分别与激光传输镜组连接,激光传输镜组将激光产生器发出的激光传递到多维微纳平台;光电传感器用来获取高倍显微镜传输来的多维微纳平台上的图像,并将信号传递给显示器;显示器显示图像。利用金属表面的等离子体效应进行焊接,属于非接触式的且焊接位置精确可控,可对焊点进行极小范围的局部加热,使材料紧密连接,对基体材料造成损伤较小;加工过程中不需要额外添加辅料,无多余的能量损耗,环保节能。
发明专利 CN201810034938.3
摘要:本发明公开了一种硅基三维异构集成的射频微系统及其制造方法,本发明中的系统包括第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层、第四硅衬底层、射频功放芯片、射频低噪放芯片、射频滤波器和射频开关,硅衬底层均为高阻硅晶圆,射频芯片和器件为采用不同衬底材料不同工艺制成;其中,把射频芯片和器件微组装在第一硅衬底层、第三硅衬底层内预先蚀刻好的腔体中,且第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层和第四硅衬底层做低温晶圆级键合堆叠在一起,并通过硅通孔垂直互连,形成三维异构集成的射频微系统。本发明将异构射频芯片和器件进行三维集成,从而减小射频系统的体积,提高射频系统的封装密度,降低互连线的传输损耗,增强射频系统的性能。
发明专利 CN201810014708.0
摘要:本发明提供了一种MEMS压电传感器及其制作方法,第一衬底包括第一基底、位于第一基底一侧的至少一层导电层、信号处理电路和/或驱动电路,信号处理电路和/或驱动电路与导电层电连接;第二衬底包括第二基底以及位于第二基底一侧的第一电极和位于第一电极一侧的压电介质层;将第一衬底具有导电层的一侧与第二衬底具有第一电极和压电介质层的一侧贴合固定,并且,通过导电通孔将第一电极与导电层电连接后,可以通过信号处理电路接收形变后的第一电极输出的电信号,和/或通过驱动电路向第一电极输入电信号,使第一电极和压电介质层产生形变。基于此,不仅可以改善MEMS压电传感器的性能,而且降低了工艺难度,使得材料以及工艺的选择更广泛。
发明专利 CN201810015599.4
摘要:本申请公开了MEMS结构、MEMS组件及其制造方法。所述方法包括形成模板层;在模板层中形成第一凹槽以及围绕第一凹槽的多个第二凹槽;在模板层上形成停止层,共形地覆盖模板层;在停止层上形成牺牲层,填充第一凹槽和多个第二凹槽;在停止层和牺牲层上形成掩模层,覆盖牺牲层;在掩模层上形成多个释放孔;经由多个释放孔和多个第二凹槽去除牺牲层形成空腔;以及在掩模层上形成封闭层,封闭层封闭多个释放孔,其中,多个第二凹槽与释放孔的位置相对应,封闭层包括多个突出部,多个突出部穿过多个释放孔插入至多个第二凹槽中,从而形成栓塞以封闭多个释放孔。该方法利用栓塞结构填充释放孔以及封闭空腔,以提高MEMS结构的工作稳定性和可靠性。
发明专利 CN201810006431.7
大连大学 2018-01-04
摘要:本发明公开了一种纳米通孔阵列聚合物模板及其制备方法,其制备方法包括:在基底上形成光刻胶层;在光刻胶层上形成聚合物基体层;制作纳米压印模具;在纳米压印模具上沉积一层抗粘层;将模具与聚合物基体层的上表面叠合,通过纳米压印系统中进行压印至光刻胶层;依次去除模具层、基底、光刻胶层,得到具有纳米通孔阵列的聚合物模板。本发明不仅工艺简单、成本低,而且可以制备具有高深宽比、较小尺寸的通孔阵列的聚合物模板,可在微纳生物、医药、光学、传感、信息等领域获得广泛应用。
发明专利 CN201810004244.5
摘要:本发明公开了一种新型的磁流体‑压电薄膜结构器件及其制造方法,本发明的器件包括压电三明治结构及磁流体层,压电三明治结构包括压电薄膜层和设置在压电薄膜层上、下表面的上电极层和下电极层,上电极层和下电极层之间设有引线(未示出);磁流体层位于上电极层之上。本发明的器件磁场传感器灵敏度高,工作稳定性好,抗干扰能力强,无线无源,避免了长期工作状态下探头失效难以维修的问题。
发明专利 CN201810005643.3
摘要:提供一种晶圆键合方法,包括:提供第一晶圆和第二晶圆,所述第一晶圆包括第一键合面,所述第二晶圆包括第二键合面;在所述第一键合面上形成第一互连层;在所述第一互连层表面形成第二互连层,所述第一互连层位于所述第一键合面和第二互连层之间;在所述第二键合面上形成第三互连层;使所述第三互连层和第二互连层相互贴合,且所述第三互连层位于第二互连层与第二晶圆之间;使所述第三互连层和第二互连层相互贴合之后,对所述第二互连层和第三互连层进行键合处理,使所述第三互连层与第二互连层反应,形成互连部,所述键合处理的温度小于第三互连层与第一互连层的共晶温度。所述晶圆键合方法能够有效控制第一键合面和第二键合面之间的间距。
发明专利 CN201711498022.5
摘要:本公开提供了一种基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法,在玻璃片上制作振动空腔、预通孔以及连通振动空腔与预通孔的通气槽;在振动空腔内制作玻璃通孔,形成金属填充电极;将玻璃片的预通孔制作成锥形通孔;通过阳极键合,将玻璃片与待封装硅结构对准键合;将硅玻璃键合片放入电子束蒸发设备中,依次淀积金属钛和表层金属;图形化金属钛和表层金属,划片成独立器件,直接形成无金丝引线的贴片元器件。
发明专利 CN201711467340.5
摘要:本发明涉及一种在透光衬底上制备微纳米结构图案的方法,先以遮光基材为原料,在透光的衬底材料的一表面上制备遮光基材层,在该遮光基材层上制备凹凸微纳米结构图案;在凹凸微纳米结构图案的凹槽中填充掩膜材料;再使用高能光束透过透光衬底,使凹槽中填充的掩膜材料固化,形成掩膜层;对遮光基材和衬底材料进行刻蚀;去除掩膜层,在衬底材料上获得微纳米结构图案。本发明的制作方法成本低,不需要使用蒸镀等高耗能方法制备掩膜层;可以简单、低能耗、高效率地制备厚度较大的掩膜层,大大降低高深宽比微纳米结构图案制备的困难度。
发明专利 CN201711469518.X
摘要:本申请公开了MEMS组件及其制造方法。所述方法包括:在传感器芯片上形成凹槽;在器件芯片上形成焊盘;将所述传感器芯片与所述器件芯片键合,以形成键合组件;在所述传感器芯片的第一位置执行第一划片,以穿透所述传感器芯片到达所述凹槽;以及在所述传感器芯片的第二位置执行第二划片,以穿透所述传感器芯片和所述器件芯片,将所述键合组件分离成单个MEMS组件,其中,所述凹槽与所述焊盘的位置相对应,并且在所述第二划片的同时,在所述传感器芯片中形成开口,以暴露所述焊盘。该方法采用两次不同深度的划片暴露传感器芯片的焊盘和切割MEMS组件,从而提高良率和可靠性。
发明专利 CN201711479000.4
摘要:本发明的不等高垂直梳齿器件,包括外框架、第一扭转结构、第二扭转结构以及梳齿结构,第二扭转结构设置在第一扭转结构与梳齿结构之间,第一扭转结构与第二扭转结构活动性设置在外框架上,第一扭转结构的一侧固定连接在外框架上,另一侧通过限位结构与第二扭转结构连接,第二扭转结构的一侧设有与梳齿结构相对应的梳齿部,梳齿部与梳齿结构之间具有高度差。该不等高垂直梳齿器件通过特殊的梳齿结构、止挡销结构以及扭转结构,在外力作用下,使该器件实现不等高垂直梳齿结构,具有结构简单、稳定的特点,且其制备方法无需上下梳齿的高精度对位、高精度双面对准光刻等复杂工艺,对工艺、设备要求不高,制备成本较低,且工艺稳定性高、易于生产制造。
发明专利 CN201711441423.7
南京邮电大学 南京邮电大学南通研究院有限公司 2017-12-27
摘要:本发明公开了一种六维压电式能量收集器及其制作方法,该能量收集器以单晶硅为衬底,在衬底上设计有支持梁、主悬臂梁、一对第一副悬臂梁、两对第二副悬臂梁以及悬臂梁两侧的质量块、悬臂梁上的压电层。支持梁负责连接能量收集器和衬底,每个悬臂梁两端均设置有质量块,可以控制质量块的尺寸及质量来控制悬臂梁的谐振频率,同时可以加大悬臂梁的振幅,质量块还起着悬臂梁之间的连接作用。每个悬臂梁的表面设有压电材料层,在悬臂梁接收外界振动产生形变的同时,压电材料伴随悬臂梁同时振动发生形变,此时压电材料两端将产生一定的电势差,同时产生微弱电流,多路电流将沿着悬臂梁集中汇入支持梁,最终输出到外界系统。
发明专利 CN201711433387.X
摘要:本发明提出一种DNA导电薄膜的制备方法及其产品和应用,采用DNA折纸材料构建DNA导电薄膜,选取DNA三角形折纸结构,通过控制其溶液浓度及甩膜速率调整成膜,使得DNA薄膜具有导电能力,包括DNA三角形折纸结构的制备和DNA导电薄膜的制备。可实现较长距离的DNA导电。作为一种存在于生命世界的材料,它本身对生态环境无害,具有柔性,也便于制造。未来可应用于医疗电子和光子学设备等领域。DNA导电薄膜可实现较长距离500微米的导电;DNA材料生物相容性好,相比无机材料,在医疗健康领域尤其具有应用前景;DNA折纸结构相对稳定,一般复杂环境,如温度、湿度,不会对其产生破坏。
发明专利 CN201711417684.5
摘要:本发明涉及一种高性能射频微机电系统开关及其制备方法,包括衬底,衬底的底面上沉积有10nm~10000nm不透明材质的薄膜衬底的顶面上封贴有若干微机电开关,衬底的顶面上还设置有封帽,每一个所述微机电开关与对应封帽相各自键合设置,被包裹的所述微机电开关与封帽之间设有活动间隙区域,使封帽能下按或弹起设置。通过薄膜的安装、微机电开关和封帽的键合工艺同时在采用薄膜剥离工艺可以制备出射频性能优异的气密性微机电开关。本发明使用玻璃衬底保证MEMS开关的高性能,同时满足现有设备自动化生产的需求,而是用封帽工艺则保证了MEMS开关的可靠性。
发明专利 CN201711400342.2
摘要:本发明涉及陶瓷基板的加工技术领域,尤其涉及一种陶瓷基板结构及切割方法,陶瓷基板包括本体和工艺边,所述工艺边位于本体的四周,所述本体和工艺边之间设有用于裂板的激光打印线,所述本体内阵列有多个基岛单元,所述基岛单元之间也设有用于裂板的激光打印线,所述基岛单元之间的内部激光打印线仅延伸至工艺边的内边。通过调整激光打印线的加工工艺来解决裂板问题,即所述基岛单元之间的内部激光打印线仅延伸至工艺边的内边,在焊线工序,陶瓷基板加热受压情况下,由于四周的工艺边为一个整体,承受力大增,不易裂板。所述陶瓷基板结构的切割方法可以提高产品的质量和合格率,并且广泛适用于不同型号种类的陶瓷基板。
发明专利 CN201711408352.0
摘要:本申请公开了一种MEMS晶圆芯片的分离方法,包括对MEMS晶圆进行划片,利用不同的切割道划分出多个芯片区域;在所述切割道所在的位置贴上保护膜,保持所述芯片区域暴露在外面;对所述MEMS晶圆进行裂片;去除所述保护膜,并对所述MEMS晶圆进行扩膜,分离出芯片。上述MEMS晶圆芯片的分离方法,能够降低分离成本,且避免崩边和硅渣硅粉造成的不利影响,提高产品良率和生产效率。
发明专利 CN201711414428.0
摘要:一种浓硼掺杂硅纳米线压阻式MEMS压力传感器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在单晶硅衬底上做掺杂,形成高浓度硼掺杂层;步骤2:在高浓度硼掺杂层上光刻、刻蚀,定义出硅纳米线压敏电阻;步骤3:热氧化,调节压敏电阻的硅纳米线尺寸,同时形成钝化保护层;步骤4:光刻、刻蚀,在压敏电阻的硅纳米线两端制作出电学接触孔,形成基片;步骤5:在基片的表面淀积金属层,使金属沉积在电学接触孔内,形成欧姆接触、电学互联引线和压焊焊盘;步骤6:在背面深刻蚀制作出背腔,获得感压薄膜,形成结构层;步骤7:将一玻璃层与结构层的背腔面对准键合,划片成分离压力传感器芯片。
US201715853396
INVENSENSE, INC. 2017-12-22
摘要:Microelectromechanical (MEMS) devices and associated methods are disclosed. Piezoelectric MEMS transducers (PMUTs) suitable for integration with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) integrated circuit (IC), as well as PMUT arrays having high fill factor for fingerprint sensing, are described.
获取途径: 欧洲专利局
发明专利 CN201711414427.6
摘要:一种基于浓硼掺杂硅的可动微纳结构的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在单晶硅衬底的上、下两面做掺杂,形成高浓度硼掺杂层、氧化硅层和硼硅相层;步骤2:用氢氟酸清洗,碱溶液清洗,RCA清洗;步骤3:采用低压化学气相沉积的方法双面生长富氮氮化硅层;步骤4:在富氮氮化硅层的一面光刻、刻蚀,制作出微纳结构凹槽;步骤5:在碱性溶液中溶解掉单晶硅衬底的部分本体硅,形成可动微纳结构;步骤6:在氢氟酸中除去富氮氮化硅层,RCA清洗,获得浓硼掺杂硅的可动微纳结构。本发明的制备方法,可以准确、低成本制作出所设计的单晶硅微纳可动结构,有望在MEMS传感器制备加工中得到广泛应用。
发明专利 CN201711394208.6
摘要:本发明公开了一种用于电涡流微压传感器的薄膜片,包括硅衬底和非导电膜片,所述非导电膜片静电键合在所述硅衬底上,所述硅衬底上设有窗口,所述非导电膜片的外侧且正对窗口的位置处溅射有导电薄膜。本发明的薄膜片具有结构简单、厚度均匀等优点。本发明还公开了薄膜片的制备方法,包括以下步骤:S01、准备单晶硅片和非导电膜片,并分别进行双面抛光;S02、将双面抛光的单晶硅片和非导电膜片进行静电键合,形成键合片;S03、在单晶硅片上腐蚀出窗口,并停止于非导电膜片,其中单晶硅片形成硅衬底;S04、在非导电膜片外侧于窗口的位置处溅射一层导电的薄膜,形成导电薄膜。本发明的制备方法操作简便、易于实现。
公   告

北京万方数据股份有限公司在天猫、京东开具唯一官方授权的直营店铺:

1、天猫--万方数据教育专营店

2、京东--万方数据官方旗舰店

敬请广大用户关注、支持!查看详情

手机版

万方数据知识服务平台 扫码关注微信公众号

学术圈
实名学术社交
订阅
收藏
快速查看收藏过的文献
客服
服务
回到
顶部