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[期刊论文] 齐云 戴英 李安意
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北大核心 CSTPCD CSCD CA CBST SA
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摘要:发光二极管的内量子效率与外量子效率之间存在巨大的差距,主要介绍了提高发光二极管(LED)外量子效率的几种途径,包括生长分布布喇格反射层(DBR)技术,将射向衬底的光反射回表面;制作透明衬底(TS)取代原有的GaAs衬底;改变LED几何外形来缩短光在LED内部反射的路程以及限制全反射现象的表面粗化技术.对比了每种方法的发展过程及效率....
摘要:本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3 nm和6 nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843 nm和942 nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs/AlGaAs量子阱带隙的改变,这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因....
摘要:用MOCVD方法生长了3种InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱(MQWs)样品,用于研究在气相中TMIn的含量对MQWs的发光波长和半峰宽(FWHM)以及在X射线中零级峰位的影响.研究表明,随着In组分在MQW中的增加,MQWs中应变也随之增加,这是造成FWHM增大的原因.同时也研究了应变MQWs中In组分与气相中TMIn含量的关系,为准确设计和控制MQWs的组分提供了依据....
摘要:共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件.概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性,并展望了这种器件的发展前景....
摘要:在n+-GaAs(n=1×1018cm-3)衬底上,用MOCVD方法制备了610 nm的AlGaInP发光二极管的外延片,用X射线双晶衍射和PL谱表征了ALGaInP外延片样品的性质,通过对减薄到不同厚度的LED外延片的管芯在相同条件下的退化实验,发现了亮度的退化随厚度的减小而减小的结果.由理论计算结果可以得到,衬底厚度的降低对于LED样品稳定性产生作用的主要因素是由于产生的耗散热的减小而使缺陷增殖速度减小和非辐射复合中心浓度的相应降低,同时衬底厚度的降低也有助于提高A1GaInP LED的器件的稳定性....
摘要:生长了InGaAsp/InGaP/In(AlGa)P材料分别限制应变量子阱半导体激光器,发光波长780 nm.利用电化学C-V表征材料掺杂,掺杂浓度达1018 cm-1.利用荧光PL及EL表征其光学性质.PL峰为765 nm.制得100 μm、宽1 mm长条形.测得阈值电流为315 mA,斜率效率超过1 W/A,功率转换可达40 %左右.注入电流1.5 A,光功率单管输出达到1.2 W....
摘要:介绍了白光发光二极管作为照明光源的发展优势.详细阐述了利用双基色发光二极管制造白光发光二极管的发光原理,并讨论了制作过程,包括选择性腐蚀和Bonding技术的运用.最后对器件性能作出评价....
摘要:采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了应变多量子阱InGaAs/AlGaAs,并且对其进行了光致发光(PL)谱、双晶X射线衍射(DXRD)谱和电化学C-V等的测试.然后以InGaAs/AlGaAs作为有源层,以GaAs衬底作为透明衬底,p面金属电极AuBe合金作为镜面反射层,采用倒装技术制备了近红外发光二极管(LED).在输入电流为20 mA下的正向电压为1.2 V左右,电致发光谱的峰值波长为938 nm,10 μA下的反向击穿电压为5~6 V,在输入电流为50 mA下得到输出功率3.5 mW,对应电压为1.3 V,在输入电流为300 mA时得到最大输出功率为12 mW....
摘要:用电化学C-V和I-V特性分析的方法,对Mg掺杂在MOCVD生长AlGaI nP发光二极管(LED)的影响进行了研究.通过电化学C-V分析,确定了在生长结构中Mg掺杂从有源层到GaP窗口层由高到低的情况;用I-V特性分析的方法对器件结构进行了分析,发现了异常的实验结果.同时理论计算得到了同型结(N+-N,P+-P)的势垒高度和空间电荷区的宽度,由此得到了在同型结两侧浓度比不同时的差异,极好的解释了异常的I-V测试结果....
[成果] 1400220145 北京
R282 基础研究 [测绘服务, 技术检测] 公布年份:2014
成果简介:该成果属于中药学领域。主要创新点包括:建立了处于国际先进水平的中药材污染真菌库,并对部分菌株的形态特征,有毒代谢物,寄主(中药材)偏好型特征做了详细的研究及描述;首次建立了11种污染频率高、毒性大的真菌毒素12种不同分析方法的中药有害真菌毒素准确的定量检测技术标准,解决了复杂基质中真菌毒素痕量检测的技术瓶颈,各种方法的检测限均能满足欧盟最严格的限量标准,为药典和行业标准的制定和修订提供科学依据;获得了5项特异性强、亲和力高有害真菌毒素的单或多克隆抗体,突破了玉米赤霉烯酮抗体不能有效识别其类似物的世界性难题,并顺利研制出4项有害真菌毒素快速检测试剂盒,可满足现场大量中药材样品快速筛查的需求。该成果共发表论文47篇,其中SCI收录17篇,参编著作一部。
[硕士论文] 齐云
材料学 山东大学 2003(学位年度)
摘要:半导体材料电子性质的研究是进行半导体器件制备的基础.理论上研究材料的能带结构可以为其发光机理及光电器件的制备提供重要信息.密度泛函理论(Density Functional Theory)在半导体材料研究中的应用非常广泛,它将电子体系的能量表示成电子密度的泛函,可以对复杂的多电子体系进行计算.尤其是基于局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA)的各种交换相关能表达方式的不断提出,使DFT的计算结果与实验结果很好的吻合.根据对波函数的展开方式,通常DFT有两种计算方法,一种是原子轨道的线性相合(LCAO-MO)展开波函数方法;另一种是平面波方法(PW),一般采用正交化平面波展开波函数.根据所研究的问题可以采用团簇模型和平面波模型.
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