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摘要:采用分子束外延(MBE)技术在单晶蓝宝石衬底上生长了高质量化学计量比二氧化钒(VO2)薄膜,通过该技术实现薄膜厚度15~60 nm精确控制.对于优化条件下VO2薄膜,实现了电阻率变化超过4个数量级的优异金属-绝缘体相变,近似于之前报道高质量单晶VO2相变特性.特别是通过太赫兹时域光谱分析了不同厚度的VO2薄膜在太赫兹波段的光学特性.结果表明:VO2薄膜的厚度对其在太赫兹波段的光学特性有很大影响.因此,为了获得更优的可靠性和重复性能,VO2薄膜的厚度必须得到精确控制.本研究结果对于下一步VO2基太赫兹器件研究具有重要意义....
摘要:利用化学气相沉积(CVD)方法生长出一种新颖的氧化锌(ZnO)微米刺球状结构,并使用该结构制备出一种新型压电应力传感器件.使用半导体特性分析系统(Keithley 4200)对器件特性进行测试,结果表明该种器件对所施加的应力高度敏感,开关比高达约60,比目前多数ZnO基压电应力传感器件高出数倍,在应力检测和机电开关等领域有很好的应用前景....
摘要:为研究退火温度对生长β相V2O5纳米棒的晶体结构、光学和电学性质的影响规律,采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上生长了非晶态V2O5薄膜,样品经一定温度区间的O2氛围退火后,开始生成β相V2O5纳米棒.实验表明,在一个狭窄温度范围内,V2O5纳米棒光电性能呈现温度敏感特性;室温下,所制样品在紫外及近紫外线波长范围具有很高的吸收率,在近红外线波长范围具有较高的透射率;其中,经500℃热处理的样品,高低温电阻变化了2个数量级,相变温度出现在350℃左右....
摘要:应国家节能减排、大力开发利用新能源的号召,结合大连地处丘陵地貌、穿山隧道较多的现状,设计了一套基于光伏电源的LED隧道照明系统.介绍并选取适当的系统组件,分析并详细计算出各组件的参数要求....
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北大核心 CSTPCD CSCD CA EI CBST
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摘要:采用直流磁控溅射法在聚酰亚胺(PI)柔性衬底上生长氧化铟锡(ITO)薄膜,采用XP-2探针台阶仪、X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪、紫外-可见分光光度计等对ITO薄膜进行结构和光电性能表征.结果表明溅射功率和沉积气压是影响磁控溅射法生长ITO薄膜透明导电性能的主要因素,实验系统研究了溅射功率和沉积气压对ITO薄膜透明导电性能的影响机制.在优化的工艺条件下(溅射功率100W和沉积气压0.4Pa),制备了在可见光区平均透射率达86%、电阻率为3.1×10-4 Ω·cm的光电性能优良的ITO透明导电薄膜....
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北大核心 CSTPCD CSCD CA EI CBST
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摘要:以Zn(CH3COO)2·2H2O为源反应物,采用水热合成反应法成功地制备了杯状的氧化锌微晶粉体材料.X射线衍射(XRD)谱的结果表明获得了典型的六方结构晶体.扫描电子显微镜(SEM)照片观测到杯状的氧化锌微晶,并且单个微晶互相结合形成对称结构.实验发现,水热时间影响着晶体的形貌,对其结构变化机制进行了探讨.同时,通过室温光致发光(PL)光谱,对其光学性质进行了研究....
摘要:随着激光武器的迅猛发展,寻找一种适用于激光防护领域的新型材料,有效对抗激光致盲,已成为摆在各国面前非常现实的问题.二氧化钒(VO2)作为一种性能优异的功能材料,在68℃附近发生从低温半导体相到高温金属相的可逆突变.但由于钒氧体系的复杂性和纯VO2薄膜相变温度较高等关键问题尚没有完全解决,严重阻碍了其在热电开关、激光防护和温控装置等方面的实际应用.综述了VO2薄膜多种制备方法的原理和优缺点,并重点介绍了VO2薄膜在智能激光防护武器上的应用....
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北大核心 CSTPCD CSCD AJ CA EI CBST SA
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摘要:采用水热法在石英衬底上以Zn(CH3COO)2·2H2O和Co(NO3)2·6H2O水溶液为源溶液,以C6H12N4(HMT)溶液作为催化剂,在较低温度下制备了Co掺杂的ZnO纳米棒.采用 X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所生长ZnO纳米棒的晶体结构和表面形貌进行了表征,考察了Co掺杂对ZnO纳米棒微观结构和对发光性能影响的机制.结果表明:Co掺杂的ZnO纳米棒呈六方纤锌矿结构,具有沿(002)面择优生长特性,Co掺杂使ZnO纳米棒的直径变细;同时室温光致发光(PL)谱检测显示Co掺杂ZnO纳米棒具有很强的近带边紫外发光峰,而与深能级相关的缺陷发光峰则很弱.本研究采用水热法在石英衬底上于较低温度下生长出了具有较高光学质量的Co掺杂ZnO纳米棒....
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北大核心 CSTPCD CSCD CA EI CBST SA
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摘要:利用脉冲激光沉积法(PLD)在c面蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜并对其进行了X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、光致发光(PL)谱和霍尔(Hall)测试.RHEED和XRD分析表明,温度在350℃至550℃之间时,ZnO薄膜的结晶质量随着衬底温度的升高而提高,当衬底温度进一步升高后,ZnO薄膜的结晶质量开始下降.四个样品中,衬底温度为550℃的样品具有最清晰的规则点状RHEED图像和半高宽最窄的(0002)衍射峰.PL谱和Hall测量的结果表明,衬底温度为550℃的样品还具有最好的发光性质和最大的霍尔迁移率....
摘要:本科教学是大学教育的基础,而科研工作是大学教师工作的另一面,科研工作反映了学科发展的前沿及专业工作的方向.在教学工作中适当地引入教师的科研工作能够在一定程度上引起学生的学习兴趣和对科研工作的向往.本文探索了科研资源转化为教学资源的意义、方式,并在课堂教学中进行了实践,将笔者的科研资源在课堂教学中转化为教学资源,在一定程度上对学生的学习兴趣和学生对科研的兴趣起到了促进作用....
[专利] 实用新型 CN201720869088.X
大连理工大学 2018-02-09
摘要:本实用新型属于LED检测技术领域,涉及一种用于LED检测定位设备的水平支架,包括底板、LED检测定位盘、水平仪、安装板、减震套筒、辅助连接件、安装套筒和调节支架。该装置结构简单,操作方便,通过三组调节支架的各自调节配合水平仪来使得装置保持很好的稳定性和水平效果,并且通过减震套筒内的减震弹簧也可以缓解外界的震动,有效的提高了LED检测的效率,提高LED检测结果的准确性。
[专利] 实用新型 CN201720869326.7
大连理工大学 2018-01-12
摘要:本实用新型属于LED技术领域,涉及一种加装散热基板的LED检测装置。包括底座、支脚、支杆、传动杆、电机、传动带、检测台、竖杆、支撑装置、固定板、液压动力装置、液压杆和测试探针。将待测的加装散热基板的LED放置在传动带上的检测台上,电机带动传动杆转动,传动带移动,将检测台移动到测试探针的正下方,液压动力装置驱动液压杆在竖直方向上运动,将测试探针的下端抵触到加装散热基板的LED的电极上,来进行测试,方便快捷,提高了检测的工作效率,并且在检测的过程中,支撑装置上的支撑轮和支撑弹簧的相互配合使用,也避免因为测试探针用力过大对加装散热基板的LED挤压过度而造成损坏。
[专利] 发明专利 CN201710583562.7
大连理工大学 2017-11-28
摘要:本发明属于LED技术领域,涉及一种加装散热基板的LED检测装置。包括底座、支脚、支杆、传动杆、电机、传动带、检测台、竖杆、支撑装置、固定板、液压动力装置、液压杆和测试探针。将待测的加装散热基板的LED放置在传动带上的检测台上,电机带动传动杆转动,传动带移动,将检测台移动到测试探针的正下方,液压动力装置驱动液压杆在竖直方向上运动,将测试探针的下端抵触到加装散热基板的LED的电极上,来进行测试,方便快捷,提高了检测的工作效率,并且在检测的过程中,支撑装置上的支撑轮和支撑弹簧的相互配合使用,也避免因为测试探针用力过大对加装散热基板的LED挤压过度而造成损坏。
[专利] 实用新型 CN201720450707.1
大连工业大学 大连理工大学 2017-11-21
摘要:本实用新型公开了一种智能跳高训练装置,属于体育器械技术领域。该智能跳高训练装置包括气垫、电动伸缩杆、挡板和控制装置,气垫的一个侧面设置有挡板,挡板两端均竖直设置有管套,管套内套接有电动伸缩杆,电动伸缩杆包括外杆和套接在外杆内部的能够伸缩的伸缩杆,两个伸缩杆的顶部分别设置有相互匹配的光电发射器和光电接收器,光电发射器上还设置有能够测量光电发射器到地面距离的测距装置,气垫的上表面设置有压力检测装置;测距装置、压力检测装置和电动伸缩杆均电连接至控制器,本实用新型采用了先进的光电发射器和光电接收器代替了传统的横杆,无需不断地架横杆,节省了时间和人力,同时本新型还具备语音播报和显示当前高度的功能。
[博士论文] 骆英民
微电子学与固体电子学 大连理工大学 2018(学位年度)
摘要:紫外探测器无论在民用还是在国防军事领域都具有重要的作用和价值。新一代紫外探测器要求具备体积小、响应和恢复速度快、灵敏度高和制备成本低等特点。ZnO作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体,由于具有禁带宽度大、不吸收可见光、光电性能好、化学性质稳定和制备成本低等优点,因而在紫外光探测领域具有广阔的应用前景。特别是ZnO优良的压电性能,更使得在调控和改善基于ZnO材料制备的光电器件性能方面增加了一种可选择的重要途径。但基于单一ZnO材料制作的光电导型紫外光探测器的光响应速度通常较慢,特别是恢复时间很长,从而限制了其实际应用。ZnO同质pn结型紫外光探测器的研究,又由于性能稳定的p型ZnO难以制取而缺乏较大进展。故而,近年来,构造各种基于ZnO的肖特基结和异质pn结型紫外光探测器已成为研究的关注点。
  本论文围绕ZnO纳米棒阵列与连续致密膜的生长制备、p-NiO/nZnO异质结的构造及其紫外光响应性能测量与分析等相关问题,展开了一系列的研究工作。由于各种结型器件的光响应速度通常均很快,故本论文的研究重点是器件的恢复性能。主要内容包括以下几部分:
  (1)采用磁控溅射和水溶液法在蓝宝石衬底上制备了ZnO纳米棒阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)谱等表征手段对其形貌、结构、成分及光学特性等进行了测试分析。研究了ZnO纳米棒阵列退火前后的紫外响应特性,结果表明,550℃下退火可以减少ZnO中的缺陷数量,降低紫外探测器暗电流,从而有效增强ZnO紫外探测器的灵敏度。
  (2)采用热蒸发氧化方法,在蓝宝石衬底上制备了NiO薄膜,并对不同氧化温度下制备的NiO薄膜进行了表征分析。结果表明,随着氧化温度的升高,NiO薄膜的缺陷减少,晶体质量提高。在此基础上,通过低温水溶液方法在不同氧化温度下制备的NiO薄膜上分别生长了ZnO纳米棒阵列,并对这些p-NiO/n-ZnO异质结样品的紫外光响应特性进行了研究。结果表明,在所研究的温度范围内,NiO膜的氧化温度越高,晶体质量越好,器件的恢复速度越快。
  (3)在柔性的Ni薄片上通过热氧化工艺制备了NiO薄膜,并通过在传统水溶液中加入柠檬酸三钠的方法,成功地在这种柔性NiO薄膜上生长了致密连续的ZnO薄膜。这种致密的薄膜结构有效减少了ZnO与空气的接触面积,从而大幅度缩短了p-NiO/n-ZnO紫外光探测器的恢复时间。相较于ZnO纳米棒阵列与NiO薄膜构成的器件,致密ZnO薄膜与NiO薄膜构成的紫外探测器的恢复时间从25秒减少到8秒。在此基础上,利用ZnO的压电电子学与压电光电子学效应进一步缩短了该种柔性器件的恢复时间:在-1%、-2%和-4%的压应变情况下,器件的恢复时间分别由无应变时的8秒减少到7秒、3.6秒和2.4秒。
摘要:GaN的缓冲层漏电问题严重影响AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)的高频性能和夹断特性.引入高阻GaN做缓冲层可以有效解决漏电问题.利用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统,通过引入InGaN插入层,在不降低GaN生长压力的情况下获得了非故意掺杂的高阻GaN薄膜,最高方块电阻达2.25×107Ω/sq.原子力显微镜证明高阻GaN薄膜具有平整、光滑的表面.低温光致发光光谱观察到与碳受主相关的"蓝带"和"黄带",而二次离子质谱证实了非故意掺杂的碳浓度在生长InGaN插入层之后开始逐渐增加,在达到最大值3.19×1017cm-3之后保持稳定.通过与非故意掺杂n型GaN对比,发现InGaN/GaN界面处的张应变弛豫会引入大量的刃位错,从而诱导非故意掺杂的碳受主并入,进而补偿背景载流子,实现高阻GaN薄膜.
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EI CSTPCD 北大核心 SCI
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摘要:衬底的选择是得到高质量ZnO纳米棒的一个重要因素.在95℃的较低温度下用CBD方法在不同衬底(石英玻璃,硅和ITO玻璃)上生长ZnO纳米棒阵列.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)结果显示六角形的ZnO纳米棒致密垂直地生长在衬底上,而纳米棒的平均直径和长度则与衬底的性质密切相关.各种衬底的ZnO纳米棒阵列的室温光致发光(PL)光谱都可以观测到强烈的近带边紫外发射峰,而无论是晶体还是非晶体,经常可以观察到的与缺陷相关的深能级发射都几乎观察不到.这意味着通过这种简便的低温化学方法可以获得高光学性能的ZnO纳米棒阵列.此外,不同衬底间UV发射的小幅度迁移可以用压应力来解释,并用拉曼光谱进行了进步的证明....
[专利] 发明专利 CN201310018911.2
大连理工大学 2013-05-15
摘要:本发明涉及一种石墨衬底上的氧化锌基MOS器件。其特征是在具有高导电、导热性能的石墨衬底材料表面上,采用射频磁控溅射方法,依次生长绝缘层(如:SiO2、Ga2O3、ZnMgO、VO2或MgO)和半导体层ZnO薄膜而制得ZnO基MOS器件。通过控制射频磁控溅射功率、腔室真空度、衬底温度和后续器件退火工艺,可以实现对制得的绝缘层、半导体ZnO薄膜晶体质量的有效控制,并进而实现对ZnO基MOS器件电学性能的控制。该法工艺简单易行,成本低廉。
[专利] 实用新型 CN201020277264.9
大连理工大学 2011-05-04
摘要:本实用新型公开了一种LED发光棋,棋盘(1)的盘座中设置有供电电源;在棋盘(1)的盘面上用于棋子落放的位置设置成凹槽(3);相应棋子的形状与凹槽的形状相配合;棋子中设置有LED灯,且棋子的侧边与底部分别设置与LED灯连接的输入电极;相应凹槽的底部和侧部设置有输出电极;输出电极连接至供电电源。LED发光棋可以满足人们在夜晚下棋的需要。棋子和棋盘内部都嵌有LED灯;棋子侧身与棋盘装有电极,当棋子放在棋盘上的时候,二者电极相连,棋子便会发出柔和的光亮。LED发光棋还具有计时功能,通过连接到棋盘上的特制的计时器,能够精确地计算出每位棋手所用的时间。同时,音响的设置可以让每一个棋手得到全方面的享受。
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