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摘要:针对SOI(Silicon on Insulator,绝缘体上的硅)高温压力传感器,在真空环境下使用退火的热处理方法,减小了p-Si与Ti/Pt/Au的接触电阻,得到了合适的电阻值和小的比接触电阻率.通过单一因素控制法研究了退火时间和退火温度两个关键因素对样品电阻值和接触表面形貌的影响.采用半导体分析仪、扫描电镜(SEM)和高低温探针台等测试设备以及传输线模型测试方法对样品的欧姆接触性能进行分析,得出了不同温度和时间与欧姆接触的关系.实验结果表明:样品在退火条件为570℃,80 min时电阻的I-V(伏安特性)曲线呈线性,阻值符合设计值,比接触电阻率小,在0~400℃测试环境下电阻值比较稳定....
摘要:利用355nm全固态紫外激光对硼硅玻璃进行了直写刻蚀实验, 采用单一变量法探究了激光能量密度、重复频率、扫描速度、扫描间距、扫描次数对刻蚀结果的影响.研究结果表明, 激光能量密度过大时, 玻璃易发生严重的崩边裂损现象;等离子体屏蔽效应随激光能量密度的增大而增强, 刻蚀深度减小;随着重复频率的减小, 通道边缘碎裂的现象减轻, 刻蚀深度增大;减小扫描间距可有效改善沟道底面的平整度;刻蚀深度随扫描次数的增多而增大, 同时沟道锥度增大.在较优的加工参数下, 实现了宽度为84.8μm, 刻蚀深度为178μm, 底面较平整, 沟道垂直度达89.580°的L型微通道的直写刻蚀....
摘要:报道了一种基于双层多晶硅材料的MEMS热电偶真空度传感器.该器件采用双层热偶排布方式可进一步减小器件横向尺寸,同时采用XeF2各向同性正面刻蚀技术释放形成微腔结构,该技术避免了湿法腐蚀工艺复杂、不易控制等缺陷.在器件制备的基础上,对该器件在不同真空度条件下的响应特性进行了测试,测试结果表明该器件在常温下的真空响应上限达105 Pa.而不同加热功率条件下,该器件的响应灵敏度随着加热功率的增大呈增大趋势....
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