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中国科学院微电子研究所
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找到 219 条结果
摘要:针对人脸数据标注所需的人工和时间成本巨大,标注出的人脸数据集含有较多噪声问题,提出一种基于子空间聚类的视频人脸数据自动标注方法.首先,将海量视频作为人脸数据的采集来源,以满足多种人脸识别任务中不同的人脸数据需求,然后使用人脸识别模型将人脸数据映射到特征空间,使用改进K近邻算法把人脸数据划分到不同的子特征空间,最后在每个子特征空间内使用K均值算法分离人脸数据中的正样本、难正样本与负样本,收集难正样本构建人脸数据集.实验在公开数据集LFW与真实待标注数据上进行,实验结果表明子空间聚类法的F1度量得分比传统聚类算法分别提高了10%和7%,数据标注速度达到传统人工标注的10倍.使用该方法建立了一个包含200个ID、9500张人脸照片的模糊人脸数据集,可用于多种人脸识别问题的研究....
[期刊论文] 李鑫 钟汇才
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北大核心 CSTPCD CSCD CBST
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摘要:随着半导体工艺节点进入微纳尺度,微弱的位线电流和较大的器件参数偏差成为制约读取电路速度和良率的主要因素,由此提出了基于电流采样技术的灵敏放大器,能够在器件参数失配较为严重、位线电流很小的场合下快速稳定的工作.在Silterra 0.13μm C13G CMOS工艺下,采用Spectre工具对电路进行仿真,结果表明:在电源电压为0.8 V、位线电流和参考电流分别为150 nA和100 nA时,读取过程能够在4 ns内完成,电路可以用于低电压、低功耗存储器的数据读出....
[期刊论文] 曾定衡 钟汇才
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北大核心 CSTPCD CSCD AJ CBST SA
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摘要:基于人脸检测的视频浏览技术和系统正逐步被接受和推广使用,本文面向无线视频浏览提出了一种增量学习人脸检测方法.主要工作包括:1)提出了融合Gentle Adaboost算法与增量学习的人脸检测方法,该方法能在离线学习部分典型样本的基础上,继续进行增量学习,从而适应不同的监控视频场景,获得更好的检测效果;2)针对无线视频检索与浏览的应用需求,设计并实现了一种基于人脸检测的无线视频检索与浏览系统,可以对检测出来的人脸建立数据库和视频索引,当有检索和浏览需求的时候根据指定的人脸,快速回溯到原始视频进行查看.实验证明,本文提出的增量学习算法有较好的人脸检测性能,并且可以在无线视频浏览系统中进行有效应用....
[期刊论文] 赵巍颂 田敏 钟汇才
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CSTPCD 北大核心
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摘要:金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal,MIM)反熔丝器件常被用于现场可编程逻辑阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)的互联结构单元.本文使用高介电常数材料Al2O3作为介质层,使用原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术,制备了高可靠性,高性能的MIM反熔丝单元.该反熔丝单元关态电阻超过1TΩ,同时开态电阻非常低,满足正态分布,集中在22 Q左右,波动幅度很小,标准差仅为3.7Ω,因此Al2O3反熔丝器件具有很高的开关比.本文研究了该器件编程前后两种状态的特性及时变击穿特性(Time Dependent Dielectric Breakdown,TDDB).研究结果表明,在2V工作电压下,未编程的反熔丝单元的预测寿命为1591年,同时,当读电流在0~20 mA时,编程后的反熔丝保持稳定.这说明该反熔丝单元在低阻态和高阻态都具有非常高的可靠性....
[期刊论文] 龙煌 田敏 钟汇才
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CSTPCD 北大核心
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摘要:制备了一种基于高介电常数材料氧化铪(HfO2)薄膜作为核心绝缘介质层的金属-金属(MTM)反熔丝单元结构.基于此结构,使用钛(Ti)和氮化钛(TiN)分别作为MTM反熔丝结构中的过渡层和阻挡层,得到了致密、均匀、无针孔缺陷以及上下电极接触良好的反熔丝单元.讨论了反熔丝单元的击穿过程及击穿现象,并重点研究了该结构的击穿特性和时变击穿(TDDB)特性.研究结果表明,此结构不仅具有良好的工艺一致性和较低的击穿电压(4.3 V),并且工作电压(1.8 V)下的时变击穿时间超过13年.其结构可以进一步应用于反熔丝型现场可编程逻辑阵列(FPGA)的互连结构....
[期刊论文] 朱金香 钟汇才 薛晨阳
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北大核心 CSTPCD
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摘要:物理不可克隆函数技术是当今RFID系统安全技术领域的最新突破,特别是应用于低成本标签制作.就已提出的物理不可克隆函数系统(physical unclonable function,PUF)系统的仲裁器做出了一些改进,采用两级触发器来提高系统的稳定性,并利用线性反馈移位系统(linear feedback shift register,LFSR)产生的伪随机序列来作为PUF的激励序列.本文对综合和布局布线后的晶体管级的电路做流片前的后端仿真,采用的是Silterra 0.13 μm的工艺库.实验结果表明:该方案硬件资源消耗少满足低成本RFID的要求,并且改进后的PUF系统的稳定性得到了提高....
摘要:针对UHF RFID系统中的并行循环冗余校验电路进行了设计和详细的分析.首先对基于经典的线性反馈移位寄存器的串行CRC电路进行了介绍,然后在串行CRC电路的基础上采用迭代法推导出了8位并行CRC电路.UHF RFID系统中采用了CRC-16的校验方法,因此该文着重以CRC-16为例,用Verilog HDL硬件描述语言设计实现了8位并行CRC-16电路,利用ALTERA公司的仿真工具Modelsim对其进行了功能仿真,最后在Quartus Ⅱ 11.0开发环境下烧录到FPGA芯片上进行了板级验证.结果符合设计的初衷:一次处理1个字节的数据,且满足UHF系统通信速率的要求....
摘要:目前基本上基于卷积神经网络的网络模型,其输入都是固定尺寸的图片.当我们希望检测或识别的图片大小不一时,有两种解决办法:一是从原始图像中剪裁一部分传入网络,或者将图像缩放成需要的大小然后传入网络.这必然会导致图片信息的丢失和变形,影响图像识别和目标检测精确度.本文利用可变尺度池化和双线性插值的思想提出了尺度可变网络,使得网络支持不同尺寸的输入.在CompCars细粒度车型分类任务中,应用可变尺度网络后,不同尺寸下分类准确度平均提升5%....
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北大核心 CSTPCD AJ CA SA
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摘要:提出了一种用于亚微米尺寸以下MOSFET器件的自对准源漏接触技术.这种新型的集成方法改变了传统的工艺步骤,即光刻接触孔,然后向里填充导电材料.在形成栅极、绝缘介质侧墙以及自对准金属硅化物以后,通过沉积金属膜层,并各向异性刻蚀以在绝缘介质侧墙两旁形成一对金属的侧墙结构.这个侧墙连接底部的源漏区和上部的互联区,作为底层的金属接触引出.这个方法不仅减小了刻蚀接触孔的难度,且采用自对准的方法形成金属接触也减小了源漏接触的距离,提高了集成度.这项工艺集成技术尝试应用于0.5 μm栅长MOSFET器件结构中,并仿真得到了良好的电学性能....
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EI CSTPCD 北大核心 SCI
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摘要:研究了Mo覆盖层厚度对MgO/CoFeB结构磁各向异性的影响.研究发现,加平行磁场生长出来的MgO/CoFeB/Mo样品表现为面内各向异性,并且随着CoFeB的厚度减小,面内各向异性逐渐减弱;在CoFeB厚度减小到1.1 nm时,仍可以保持面内各向异性,垂直方向的外加饱和场逐渐减少;厚度在0.9 nm及以下的情况下,面内各向异性消失.改变Mo覆盖层厚度,当tMo =1.6 nm时,垂直方向的饱和场最小.当生长过程的磁场变为垂直磁场时,不同厚度的Mo覆盖层对MgO/CoFeB 的磁各向异性影响不同. Mo厚度在1 nm及以下时MgO/CoFeB/Mo样品表现为面内各向异性, Mo覆盖层厚度在1.2和5 nm之间时样品出现了垂直磁各向异性;并且垂直方向的矫顽力也发生了变化, Mo覆盖层厚度为1.4 nm时样品的磁滞损耗会大一些....
[期刊论文] 江洋 田敏 钟汇才
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CSTPCD 北大核心
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摘要:基于金属-金属(metal-to-metal,MTM)反熔丝技术的可编程存储和逻辑器件已经得到广泛应用.制备了基于高介电常数材料HfO2的铝/氧化铪/铝(Al/HfO2/Al)结构的MTM反熔丝单元,并对该单元的编程特性、击穿电压、编程后电阻、编程前漏电流、经时击穿(TD-DB)和使用寿命等特性进行了研究.测量结果显示,基于较薄高介电常数材料HfO2介质的MTM反熔丝器件在获得较低击穿电压的同时,依然保持较小的编程前漏电流、非常高的开关电阻比以及良好的可靠性和寿命....
摘要:循证医学强调医疗决策的科学化和成本效益的最优化,是医学领域的思维创新和模式创新.循证医学从诞生至今20多年已被医学界广泛接受,深刻影响了全球医疗卫生决策、实践、教育和研究的各个方面,成为医疗卫生行业从业者和医学生应知应会的知识和技能之一.循证医学已成为医学发展史上的一个重要里程碑....
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北大核心 CSTPCD CSCD
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摘要:聚偏二氟乙烯(PVDF)是一种高性能压电材料,非常适合应用于车辆动态称重的环境.针对PVDF传感器的特点,提出用阻尼振动模型分析PVDF传感器产生称重信号的过程,给出称重信号的频谱特点,并在自主设计的实验平台基础上对该信号进行测量.实验结果显示:相对于低频噪声,称重信号主要分布在高频段,该特点为滤除系统噪声提供了依据.根据该特点设计称重系统可以有效地减少算法设计的复杂度,提高系统的测量精确性....
[专利] 发明专利 CN201010111079.7
摘要:一种半导体器件的制造方法,所述方法在栅极替代工艺(Replacementgate或Gate?last)的替代栅堆叠形成后,至少去除伪侧墙和替代栅堆叠中侧壁部分的栅介质材料;而后,至少在栅电极的侧壁形成应力氮化物层,有效提高器件载流子迁移率,进而提高了器件的速度。
[专利] 发明专利 CN201510242230.3
摘要:提供了一种半导体器件及其制造方法。一示例半导体器件可以包括:衬底;在衬底上形成的鳍,其中,在鳍的至少一侧,鳍的底部相对于上部突出;以及与鳍相交的栅极。
[专利] 发明专利 CN201310393098.7
摘要:本发明公开了一种半导体器件,包括:多个鳍片,形成在衬底中多个第一沟槽之间,沿第一方向延伸分布;栅极堆叠,跨域多个,沿第二方向延伸分布;源漏区,形成在栅极堆叠沿第一方向两侧的鳍片中;其中,每个鳍片顶部包括多个子鳍片,由多个第二沟槽分隔每个鳍片而形成。依照本发明的半导体器件及其制造方法,通过特殊的刻蚀工艺在大尺寸鳍片上形成了多个小尺寸子鳍片,合理利用了FinFET器件鳍片之间的区域,提高了器件的驱动能力而避免了增大芯片面积,有效提高了器件整体性能。
[专利] 发明专利 CN201010104991.X
摘要:一种半导体器件的制造方法,所述方法在栅极替代工艺(Replacementgate或Gate?last)制备CMOS晶体管过程中,在去除伪栅堆叠后,在去除伪栅堆叠形成的第一开口内形成L形侧墙以及其上的第二侧墙或L形侧墙,来重新定义替代栅的尺寸,起到调节替代栅堆叠与源/漏区域以及源/漏延伸区重叠电容的作用;而后通过在替代栅堆叠中的栅电极的侧壁形成替代侧墙,进一步减小侧墙与源/漏区域以及源/漏延伸区的重叠电容,进而减小器件整体的重叠电容,此外,以较易实现的工艺方法得到更小器件尺寸的器件。
[专利] 发明专利 CN201310407827.X
摘要:本发明公开了一种鳍片制造方法,包括:在衬底上形成多个硬掩模线条;湿法腐蚀衬底,形成多个沟槽以及沟槽之间的多个初始鳍片;调节初始鳍片的剖面形貌,减小初始鳍片的顶部和/或底部宽度,形成最终的鳍片。依照本发明的鳍片制造方法,通过特殊的分步刻蚀工艺形成了精细化的鳍片线条,由此提高了器件性能和可靠性。
[专利] 发明专利 CN201410003621.5
摘要:本发明公开了一种半导体器件,包括:衬底,包括底层、绝缘材质的中层、以及半导体材质的顶层;多个鳍片,位于衬底的顶层上,沿第一方向延伸分布;栅极堆叠,位于衬底的顶层上、鳍片的顶面以及侧壁上,沿第二方向延伸分布;其中,鳍片顶面以及侧壁上的栅极堆叠与鳍片构成了FinFET,鳍片之间的栅极堆叠与衬底顶层构成了平面MOSFET。依照本发明的半导体器件及其制造方法,合理利用了FinFET器件鳍片之间的区域来形成平面MOSFET,提高了器件的驱动能力而避免了增大芯片面积,有效提高了器件整体性能。
[专利] 发明专利 CN201510147801.5
摘要:本公开提供了一种栅导体层及其制造方法。一示例方法可以包括:向由栅侧墙限定的沟槽中填充导电材料粉末;以及对填充的导电材料粉末进行激光退火,以形成导电材料层,所述导电材料层形成所述栅导体层。
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