绑定机构
扫描成功 请在APP上操作
打开万方数据APP,点击右上角"扫一扫",扫描二维码即可将您登录的个人账号与机构账号绑定,绑定后您可在APP上享有机构权限,如需更换机构账号,可到个人中心解绑。
欢迎的朋友
万方知识发现服务平台
获取范围
  • 1 / 1
  (已选择0条) 清除 结果分析
找到 16 条结果
-
EI CSTPCD 北大核心
-
摘要:本工作通过晶体生长实验,获得了不同运动方式下的磷酸二氢铵(ADP)晶体,并通过拉曼光谱、热分析、显微硬度和化学腐蚀等手段研究了所得晶体的性能.拉曼光谱显示,二维和三维运动晶体具有与转晶法晶体同样优异的结晶性能.二维运动晶体的热稳定性优于转晶法晶体,但低于三维运动晶体.转晶法晶体低的硬度值以及高的位错密度说明其内部缺陷较多,影响了晶体质量.与三维运动晶体相比,二维运动晶体由于对流的不充分,造成晶体的硬度值偏低,位错密度偏高,其质量略差.总体来讲,周期性平动能够保持过饱和度的均匀性和表面形貌的稳定性,减少缺陷的产生并提高晶体质量....
-
EI CSTPCD 北大核心
-
摘要:利用光学显微镜实时观测磷酸二氢钾(KDP)晶体柱面及锥面薄表面层的生长过程,测得不同过饱和度下薄表面层前端不同倾角的非正常棱边推移速度.结果表明:倾角越小,非正常棱边推移速度越慢,薄表面生长终止于其前端的正常棱边处;随着过饱和度的增大,非正常棱边推移速度线性增加.计算得到柱面及锥面薄表面层前端非正常棱边推移动力学系数,由于Eslice(010)>Eslice(101),因而柱面薄表面层的生长动力学系数大于锥面.建立了基于非奇异面上台阶生长机制下的薄表面层生长体扩散模型.应用该模型解释了薄表面层生长速度随其厚度及前端非正常棱边倾角的变化关系,并讨论了溶液流动对薄表面层生长的影响.结果发现薄表面层生长存在一个使其以恒定厚度向前推移的临界厚度....
-
CSTPCD 北大核心
-
摘要:提出了一种通过锥顶喷流改善KDP锥面过饱和度的晶体生长方法.采用有限体积法和滑移网格技术,对传统转晶法及喷流转晶法的KDP晶体生长过程进行了数值模拟.展示了两种生长方式下晶体表面过饱和度时均分布云图及均方差,分析了不同转速、不同喷流速度、不同晶体尺寸对晶面时均过饱和度及均方差的影响.结果表明:相比于传统转晶法,喷流转晶法晶体的锥面过饱和度提高且表面均匀性增加.提高喷流速度可以进一步提高锥面过饱和度,但其均方差却呈现先减小后增大的变化.旋转速度的增加能提高锥面过饱和度并减小其均方差.此外,晶体尺寸也会在一定程度上影响喷流的效果....
-
CSTPCD 北大核心
-
摘要:实时观察了非完整形态的KH2PO4 (KDP)晶体在过饱和溶液中以薄表面层生长形式恢复其结晶学形态的过程.提出了晶体形态恢复的“最小多面体原理”,即:在自由生长系统中,对于非完整形态的KDP晶体,当其以薄表面层形式恢复其结晶学完整形态时,薄表面层将选择相应的奇异面方向生长,使晶体形态最终恢复为一个由各结晶学显露面所围成的体积最小的凸多面体.利用PBC理论分析了生长基元在非结晶学显露面上的附着情况并阐述了锥顶处薄表面层倒垂生长的原因.结果表明,薄表面层形成与晶体非完整结晶学形态及不均匀水动力学条件相关联.柱面凹角与非正常棱边及Z切片正常棱角均可诱发产生薄表面层,且薄表面层生长终止于其所在奇异面的正常结晶学晶棱....
摘要:针对两种不同运动方式下的KDP单晶生长,进行了流动与物质输运模拟.分析和比较了不同运动方式下,晶面附近溶液流动及晶面过饱和度分布特征.研究了晶体尺寸对晶面过饱和度场的影响.结果表明:二维运动法中,晶面遭受的水动力学条件较为复杂,使得其过饱和度分布不如转晶法规则;二维运动法锥面过饱和度明显高于转晶法;单位周期内,转晶法晶面平均过饱和度存在较大波动,而二维运动法过饱和度随时间变化较小;总体上看,小尺寸晶体时,二维运动法晶面过饱和度梯度小于转晶法;大尺寸晶体时,二维运动法晶面过饱和度梯度大于转晶法....
-
CSTPCD 北大核心
-
摘要:提出一种实验研究薄表面层形成和生长的涂覆法。利用该方法,以 KH2 PO4(KDP)晶体Z切片为载体,探究晶体的某些部位,比如(001)面、棱边、柱面在薄表面层形成以及生长过程中所起的作用。结果表明,当Z切片的(001)面上的棱边被覆盖,会首先以小晶锥的形式在(001)面形成新棱边,然后自新棱边沿(101)面切线方向出现薄表面层生长;当整个(001)面被覆盖,柱面生长一定时间并形成新棱边,之后也会出现薄表面层生长;当(001)面被涂覆分割,各分割部分能在各自的新棱边形成后以薄表面层方式形成独立的锥体,而在锥体间的棱边恢复后,独立锥体相应锥面能实现连接。可见,棱边是薄表面层形成的先决条件。对各种涂覆处理的Z切片通过光学显微镜实时观测,发现棱边在薄表面层形成中起关键作用,而柱面能提供台阶,在薄表面层生长中起重要作用;同时,得到了不同涂覆处理方式下薄表面层切向生长速度和动力学系数。...
摘要:针对转晶法生长KDP单晶过程,进行了流动与物质输运数值模拟,以获得生长过程中晶面溶质浓度(过饱和度)的变化规律.文中展示了晶体表面浓度分布随时间的变化过程;分析了不同转速和晶体尺寸,对晶面时均浓度场的影响.结果表明,转速越快,晶体表面过饱和度越高;晶体尺寸对其表面过饱和度的大小和分布也有较大影响.此外,由于空间上不对称,Z向和Y向晶面过饱和度分布有较大差异.在晶体处于静止或低转速,自然对流可能会对晶体表面的过饱和度分布产生影响....
-
EI CSTPCD 北大核心
-
摘要:采用有限容积法,对KDP籽晶在静态溶液中的生长过程进行了数值模拟,研究了籽晶长大过程中的形状变化,考察了体过饱和度和籽晶特征尺寸对籽晶表面过饱和度及剪切力的影响,重点分析了籽晶长大过程中的尺寸效应.结果表明,当籽晶的特征长度小于临界尺寸时,籽晶的生长速率随着晶体尺寸的增大而加快;而当籽晶的特征长度大于临界尺寸时,籽晶的生长速率随着晶体尺寸的增大而减慢....
-
北大核心 CSTPCD CSCD CA EI CBST
-
摘要:通过对301 K时,不同过饱和度以及掺杂2.5%(摩尔分数)尿素(σ=0.09)条件下生长的 ZTS 晶体进行AFM非实时扫描,对其(100)面的基本台阶以及聚并形成宏观台阶的形貌情况进行了研究.发现ZTS晶体(100)面在低过饱和度下(σ=0.03),以基本台阶推移为主,台阶高度约为0.553 nm,近似为晶格参数a 值的一半;在高过饱和度下(σ=0.09),以台阶聚并后的宏观台阶推移为主.而在同样的过饱和度下掺入尿素则会加剧台阶聚并的程度,该实验结果很好地符合了杂质诱导产生非对称台阶动力学系数理论模型....
-
北大核心 CSTPCD CSCD CA EI CBST
-
摘要:采用原子力显微镜实时和非实时观察了不同过饱和度下 KDP 晶体(100)面相变界面微观形貌,观察到晶体从生长死区恢复生长的过程;首次得到大台阶形成过程的实时 AFM图像,解释了大台阶的形成机理;分析了台阶失稳的原因。结果表明,不同实验条件下,KDP(100)面相变界面均呈现为台阶面。在低过饱和度下,生长台阶来源于螺位错;在较高过饱和度下,层状台阶列来源于二维核。...
[期刊论文] 李嘉明 李兰芬 胡志涛
-
CSSCI 北大核心
-
摘要:审计判断是一个复杂的心智过程,审计人员有多层次的心理需求,有从事审计活动的动机,在从事审计判断时有丰富的心理活动,基于上述研究可构建出审计判断模式.为防治审计判断偏误、提高审计判断的质量,可从行为心理的角度采取以下措施:进行行为心理学学习,丰富专业知识、重视经验积累,建立有效的审计判断激励机制和审计判断约束机制,加强职业道德修养等....
摘要:通过对Z切片等多种非完整形态下KH2PO4晶体生长薄表面层的实时观察,发现薄表面层的生长与浮力对流导致的溶液过饱和度梯度之间存在密切联系.晶体棱边处的过饱和度往往高于晶面内部,使得处于该条件下的非完整形态晶体的棱边可在后续生长过程中产生薄表面层,进而恢复晶体的完整形态.棱边处拥有的"过饱和度优势"是其产生薄表面层的先决条件,若棱边处于"过饱和度劣势",则薄表面层生长必然受到抑制.合理利用浮力对流,可使用非完整的Z切片籽晶生长KDP晶体,以节约晶体材料....
[专利] 发明专利 CN201610020922.8
重庆大学 2016-05-25
摘要:本发明提供了一种晶体在溶液中做行星式转动的生长装置,该装置包括:生长容器、行星式旋转水封、行星驱动机构和晶体托盘。行星驱动机构输出端通过支撑杆与晶体托盘相连,驱动晶体托盘在生长容器中作自转和行星式公转。本发明中,晶体自转和行星式公转由两个电机各自单独驱动,可实现晶体匀速公转和周期性正反自转。选择合适的晶体自转周期和转速,可以最大限度地提高晶体生长过程中各面生长条件的相似性,保持各锥面或柱面生长速率的一致性。与单纯的晶体自转方式相比,本发明可使溶液得到更充分的混合,大大提高溶液中浓度和温度分布的均匀性;同时消除晶体减速、停转及加速自转过程中溶质供应的剧烈波动。
[博士论文] 胡志涛
动力工程及工程热物理 重庆大学 2017(学位年度)
摘要:磷酸二氢钾(KH2PO4,KDP)晶体是上世纪30年代发展起来的一种性能优良的非线性光学材料,以其大的非线性光学系数、高的激光损伤阈值及宽的透光波段,被广泛应用于激光变频领域。由于其容易制备且易于长大的特点,是目前惯性约束核聚变激光系统中二倍频和三倍频的首选材料。
  在工业生产中,常用的KDP晶体生长方法主要有传统Z切片籽晶慢速生长法和点籽晶快速生长法两种。无论哪一种晶体生长方法,都需要在生长溶液中预先放置籽晶。籽晶质量的优劣会直接影响生长出来的大尺寸单晶的质量,因此,选取高质量的籽晶是成功生长大尺寸高质量晶体的首要条件。通过不断蒸发溶液,进而析出晶体,是获取KDP籽晶的常用方式之一。如果已有现成晶体,则可直接从中切出一部分作为籽晶使用,其中Z切向籽晶是应用最广的籽晶。由于Z切向籽晶缺少晶锥部分,不具备KDP晶体结晶学形态,因此在晶体生长正式开始之前,须经历一个所谓的“成锥”过程以恢复晶锥,晶锥恢复的好坏对接下来的晶体正常生长具有重要影响。该过程不同于正常的晶体生长,表现出非完整形态晶体所特有的“薄表面层”生长机制。目前,对于该机制的研究还处于起步阶段,人们对薄表面层生长的机理尚不清楚。
  当晶体正常生长开始之后,溶液中的流场和浓度场特性就成了决定晶体生长质量的关键因素。目前,多数KDP晶体生长方法都采用周期性正反转动晶体的方式来加快溶质输运速度,提高晶体生长速率。随着晶体的不断运动,溶液中的流场及浓度场变得十分复杂,呈现出典型的三维非稳态特征,很难通过实验进行研究。而通过数值模拟却可方便地获得溶液中的流场和浓度场,为优化晶体生长工艺提供指导。这些年计算机技术的快速发展,使数值模拟成为研究晶体生长方法的必要手段。
  本文应用热力学、流体力学和传质学等专业基础知识,针对KDP晶体生长各阶段所涉及的流动和传质问题,展开系列研究,主要内容包括以下几个方面:
  ①通过肉眼观测不同非完整形态KDP晶体的形态恢复过程,从晶体生长形态学角度研究了薄表面层的生长机理,提出了晶体形态恢复的“最小多面体原理”,并利用热力学的基本原理进行了解释。运用光学显微镜测量了薄表面层的生长速度,发现其大小与溶液过饱和度、薄表面层厚度及前端非正常棱边的结晶学取向有关,并建立了体扩散机制下的薄表面层生长动力学模型。从晶体生长动力学角度证实,薄表面层生长的实质是其前端非正常棱边沿薄表面层切向的推移过程,薄表面层生长终止于奇异面正常棱边。
  ②对KDP晶体Z切片籽晶成锥时的溶液流动和物质输运过程进行了模拟研究,发现当籽晶(001)面棱边过饱和度较高而中心处过饱和度较低时,锥面薄表面层可快速生长,此时 Z切片籽晶成锥较容易。另外,为保证成锥质量,薄表面层外侧锥面上的过饱和度分布应尽量均匀。这就需要在成锥初期,使晶体保持静止或低速转动;而在成锥中期,则应调整晶体转速,使其逐渐增大至正常晶体生长所需大小;到了后期,则应保持正常晶体生长时的转动规律不变。
  ③对蒸发法制备完整形态KDP籽晶时的流动和传质过程进行了模拟研究,重点考察了籽晶生长过程中的形状变化及其表面过饱和度分布特性。研究结果表明,晶体表面过饱和度的不均匀性是导致台阶聚并、引起包裹物形成的直接原因。当KDP籽晶在静态溶液中生长时,籽晶表面过饱和度梯度最大的位置出现在其上表面对角线附近。降低溶液过饱和度,倾斜放置生长籽晶的液池,可改善籽晶上表面过饱和度均匀性,提高籽晶生长质量。
  ④对传统转晶法生长KDP晶体时的流动和传质过程进行了模拟研究,发现在晶体减速、停转和加速转动阶段,晶体附近溶液流速会被大大削弱,其表面过饱和度将出现大幅波动。为克服这一缺陷,本文提出了一种新的KDP晶体生长系统,在该系统中,须对晶体额外施加一匀速公转运动,使其以行星转动方式在溶液中做周期性转动,并模拟研究了KDP晶体生长时的溶液流动和物质输运特性,重点考察了行星转动方式中自转速度、公转速度和公转半径等操作条件对晶体表面过饱和度分布的影响。研究结果表明,提高晶体公转速度、扩大晶体公转半径、增大体过饱和度均可有效提高晶体表面时均过饱和度,进而提高晶体生长速率。
  ⑤对晶体运动方式作了一步改进,使其在溶液中做水平圆周转动的同时还进行上下往返运动(即三维螺旋运动),从而在更大范围内搅拌溶液,保证各晶面溶质供应的一致性。通过数值模拟发现,三维螺旋运动法可获得更为均匀的晶体表面过饱和度。参数分析结果表明,晶体表面的传质特性主要受晶体水平圆周运动的线速度V0影响,V0越大,晶体表面的传质边界层厚度越薄,传质阻力越小,晶体表面时均过饱和度增加;同时,其分布更趋均匀,有利于晶体表面形貌稳定性,减小包裹物形成几率。但随着晶体生长尺寸的变大,其表面时均过饱和度会逐渐减小,均匀性有所下降。因此,采用三维螺旋运动法生长KDP晶体时,随着生长的进行,应适当增大晶体的圆周轨道半径并减小其运动周期,使V0增大。
[专利] 发明专利 CN201310263158.3
重庆大学 2013-10-09
摘要:本发明属于晶体生长技术领域,涉及一种维持过饱和度恒定的降温法晶体生长系统,该系统包括拉力传感器和热电偶构成的检测单元,信号处理器和微机组成的控制单元,以及温控器构成的执行单元;该系统能够实时测量生长晶体的质量变化量,并以此为依据来调节水浴降温,使溶液温度降低所带来的过饱和度的增加量与晶体生长所引起的过饱和度的减少量相等,从而实现晶体在恒定的过饱和度下稳定快速生长,抑制生长层和包裹体的产生,提高生长晶体的质量。
[专利] 发明专利 CN201310005683.5
重庆大学 2013-04-24
摘要:本发明属于晶体生长技术领域,涉及一种晶体作三维运动的溶液中生长晶体的方法,根据溶解度公式,配制一定温度的饱和溶液;过滤后,在饱和温度以上20℃过热得生长溶液;将籽晶用胶固定在掣晶杆顶端;胶固化后将其引入到育晶器中,籽晶经微溶和再生过程后进入晶体生长阶段;生长期间,晶体靠掣晶杆带动按如下方式周期性地作三维运动:由左向右,由下向上,由外往里,由右向左,由上向下,由里往外。本发明中,由于晶体每一个晶面在生长过程中反复地轮流地作为迎面、侧面和背面的相对溶液的运动,因此消除了现有方法中包裹物等缺陷易形成的区域,能保持晶体表面大而且较为均匀的过饱和度,是一种快速的全方位的高质量溶液中生长晶体的方法。
  (已选择0条) 清除
公   告

北京万方数据股份有限公司在天猫、京东开具唯一官方授权的直营店铺:

1、天猫--万方数据教育专营店

2、京东--万方数据官方旗舰店

敬请广大用户关注、支持!查看详情

手机版

万方数据知识服务平台 扫码关注微信公众号

万方选题

学术圈
实名学术社交
订阅
收藏
快速查看收藏过的文献
客服
服务
回到
顶部