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CSTPCD 北大核心
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摘要:Si(110)衬底Ⅲ族氮化物独特的取向关系使AlN和GaN薄膜的外延生长及其LED器件受到广泛关注.详细分析了A1N和GaN薄膜Si(110)衬底的取向关系,指出了薄膜Si(110)衬底在[1(1)00]AlN//[001]si方向上的高晶格匹配度不仅可以有效降低薄膜的位错密度,还将提高薄膜在[11(2)0]AlN//[1(1)0]si方向上的生长速度;综述了Si(110)衬底上薄膜的制备方法及研究进展,从薄膜的显微组织结构方面,说明Si(110)衬底具有可以提高AlN和GaN薄膜结晶质量等优势.介绍了Si(110)衬底上氮化物薄膜基LED器件的结构和性能,并指出其应用优势、发展潜力和发展方向.最后,简单讨论了Si(110)衬底上A1N和GaN薄膜还存在的问题及面临的挑战....
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