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CSTPCD 北大核心
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摘要:Si(110)衬底Ⅲ族氮化物独特的取向关系使AlN和GaN薄膜的外延生长及其LED器件受到广泛关注.详细分析了A1N和GaN薄膜Si(110)衬底的取向关系,指出了薄膜Si(110)衬底在[1(1)00]AlN//[001]si方向上的高晶格匹配度不仅可以有效降低薄膜的位错密度,还将提高薄膜在[11(2)0]AlN//[1(1)0]si方向上的生长速度;综述了Si(110)衬底上薄膜的制备方法及研究进展,从薄膜的显微组织结构方面,说明Si(110)衬底具有可以提高AlN和GaN薄膜结晶质量等优势.介绍了Si(110)衬底上氮化物薄膜基LED器件的结构和性能,并指出其应用优势、发展潜力和发展方向.最后,简单讨论了Si(110)衬底上A1N和GaN薄膜还存在的问题及面临的挑战....
摘要:立方氮化铝(c-AlN)以其优异的性能成为发光二极管、激光二极管等光电子器件的理想材料.采用激光分子束外延法制备了c-AlN/TiN/Si(100)异质结构,研究了它的显微组织和光学性能.结果 表明:AlN薄膜和TiN缓冲层呈立方岩盐矿结构的(200)面择优取向;c-AlN薄膜、TiN缓冲层和Si衬底的界面清晰,不存在第二相,但错配应力使得界面处存在一定的缺陷;c-AlN薄膜的光致发光谱分别在376,520,750 nm处有3个发光中心;376 nm处的发光峰氮空位(VN)和氧杂质(ON)有关,520 nm处的发光峰Al空位(VAl)和ON的复合有关,而750 nm处的发光峰可归因于VAl和价带之间的辐射复合;c-AlN薄膜的电致发光中心在580 nm附近,也属于c-AlN的深能级缺陷发光....
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