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摘要:报道了一种基于双层多晶硅材料的MEMS热电偶真空度传感器.该器件采用双层热偶排布方式可进一步减小器件横向尺寸,同时采用XeF2各向同性正面刻蚀技术释放形成微腔结构,该技术避免了湿法腐蚀工艺复杂、不易控制等缺陷.在器件制备的基础上,对该器件在不同真空度条件下的响应特性进行了测试,测试结果表明该器件在常温下的真空响应上限达105 Pa.而不同加热功率条件下,该器件的响应灵敏度随着加热功率的增大呈增大趋势....
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