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中北大学
中国农业大学
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找到 12 条结果
[硕士论文] 杨娇燕
土壤学 中国农业大学 2006(学位年度)
摘要:本研究是在北方农牧交错带(武川)一个700m×900m的栗钙土区域内布80个调查样点,取得这些土壤剖面质地和CaCO3及其钙积层的数据等,对该区域栗钙土的CaCO3、粘粒、水分含量、容重及钙积层出现深度、厚度等土壤性质进行研究分析,在GIS的支持下,运用地统计学方法研究探讨了土壤质地和钙积层的空间分布规律和特点。对取样点的土壤颗粒组成及剖面层次的空间变异性的传统统计分析表明,除了第一层的砂粒变异系数是0.07以外,其他的观测值的变异系数在0.19~0.57之间,属于中等变异强度,CaCO3含量的变异系数在0.91~1.34内,属于很高的变异强度,钙积层出现深度的变异系数为0.37,为中等变异强度。在地统计学的支持下,以半方差函数为基本工具,分析了研究区域土壤剖面层次的空间变异特征,并运用Kriging进行插值,绘制出不同层次不同粒径土壤颗粒的空间分布图和不同层次土壤CaCO3含量等值线图,且利用钙积层诊断标准判断出每一个样点是否出现钙积层以及出现的深度,绘制出钙积层出现深度的空间分布图,并分析了空间分布规律。 研究结果表明,研究区域不同粒径土壤颗粒在一定范围内存在空间相关性。不同剖面层次不同粒径土壤颗粒由结构性因素引起的变异性在14~42%,除了第一层的粉粒、第二、第四层的粘粒、第四层的砂粒空间相关性较弱以外,其他的都具有中等强度的空间相关性。上面三层砂粒含量的空间相关距离在340~682m,粉粒的为1280~1804m,粘粒的为36~55m。CaCO3含量第一、二、三层的由结构因素引起的变异为分别为:50%,13%和9%,表明碳酸钙含量在研究区域内分别具有为中等的,较弱的空间相关性。CaCO3含量的空间相关距离第一层为597m,第二、三层为84m,87m。钙积层出现深度的相关距离为114m。
[硕士论文] 杨娇燕
机械设计及理论 浙江大学;浙江大学机械与能源学院 2007(学位年度)
摘要:随着服装业对服装CAD要求的不断提高,二维服装CAD已经不能满足人们对服装CAD在直观性、立体感和穿着效果显示上的要求。三维服装CAD的研究工作引起了很多学者的关注和重视,并取得了巨大的成就。他们在三维人体测量、三维人体建模、三维服装设计、三维裁片展开等领域做了大量的研究并取得了一定的成果。然而服装CAD的设计结果只有通过裁片设计,才能用于生产,并缝制成服装。因此,在三维服装CAD系统的开发和应用中,我们不仅要研究服装CAD相关的三维设计,而且要研究面向三维服装CAD的裁片设计技术。 基于以上思想和三维服装CAD中用户对裁片设计的需求,本文提出了三维服装CAD的裁片设计流程。在以往的裁片设计中,加入了裁片设计质量预测与评估、考虑织物特性的裁片设计结果调整及面向服装工艺的裁片缝边设计,使裁片设计更加完整和准确,同时提高了裁片设计过程中的交互性。 本文第二章是裁片设计的基础,主要简单介绍了三维服装CAD中裁片获取方法,是本文研究工作的基础。虽然三维曲面展开技术尽量满足以下两个要求:裁片面积在展开前后尽量保持不变;裁片的边界长度及夹角关系在展开前后尽量保持不变,但一般产品设计中三维曲面展开为二维曲面中的变形是必然存在的。本文通过裁片展开前后的变形情况,来分析裁片设计中所产生的应力,并将此显示出来,作为用户判断裁片设计结果是否正确的参考依据。三维裁片展开为二维裁片时,并没有考虑织物的特性,这使得裁片设计结果与实际结果存在着一定的误差,本文在展开裁片上,加入织物特性,对裁片设计结果进行调整,得到比较符合真实情况的裁片。经过以上两个步骤设计的裁片,是设计成熟的裁片,但在投入生产之前还需要对其进行加缝边的设计。本文第五章详细介绍了缝边的设计方法及缝边的计算机实现方法。 基于上述研究工作,论文第六章介绍了LookStailorX系统框架,并对系统开发环境作简要介绍,同时详细介绍了上述研究工作在该系统中的应用。 最后,在第七章中总结了本文的工作,并对项目课题研究的发展前景从技术上和应用上作了展望。
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CSTPCD 北大核心
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摘要:土壤碳酸盐含量是土壤性质的一个重要指标.土壤中碳酸盐含量多少直接影响土壤团粒的形成和土壤发育以及土壤养分的存在形态和有效性,反映了土壤的环境质量[1].以碳酸盐为主要存在形态的土壤无机碳库在全球陆地碳循环中占有重要地位,全球土壤无机碳库量约700 ~1 000 pg[2],我国土壤无机碳库量约为77.9 pg[3],相当于全球的1/13 ~ 1/9.但目前对土壤无机碳,尤其是土壤发生性次生碳酸盐的研究相对较少,而这部分碳在大气、植被、土壤碳库间的长期动态变化中起着重要作用.因此,研究碳酸盐形式的土壤无机碳的空间分布特征对评价土壤在陆地生态系统碳循环以及全球变化中的作用有重要意义[4]....
[成果] gkls029726
TQ441.41 应用技术 公布年份:2009
成果简介:主要研究硫、蜡、调理剂等膜质材料筛选、配比;不同硫包衣的高效节能环保型缓控肥用量、包膜厚度的控制技术;工艺参数的优化技术;形成生产含氮32~39﹪系列的工艺技术流程。研究不同氮素含量在不同土壤条件下的氮素释放特性,包括释放强度、释放周期。研究的不同高效节能环保型缓控肥施用方法,对不同作物的增产效果,对作物品质的影响;对喜硫作物的产量、品质的影响;对偏碱性土壤的应用效果等等。制定出适合我国国情的高效节能环保型缓控肥产品技术标准。  该产品生产技术先进、工艺成熟,其缓/控释效果显著,氮肥利用率比普通尿素提高30~50﹪,应用效果显著,已为广大农业科技人员认识。虽然由于价格偏高,推广起来有一定困难,但若有国家政策的支持,在3~4年时间内就会为社会逐渐接受, 5~7年定能在各地普遍使用推广。SCU作为N肥,可以应用各种经济价值较高的作物或植物上,又可用于掺混肥料中,起到缓效、速效兼顾,有利于作物、植物不同生长时期对养分的需求,减少生长期追肥的程序,省工、省力、降低劳动强度,特别是在水浇地,水稻养殖、保护地栽都有用武之地。本产品价格比国外产品便宜,其产品在市场上具有极强的竞争力,市场前景非常广阔。
摘要:针对SOI(Silicon on Insulator,绝缘体上的硅)高温压力传感器,在真空环境下使用退火的热处理方法,减小了p-Si与Ti/Pt/Au的接触电阻,得到了合适的电阻值和小的比接触电阻率.通过单一因素控制法研究了退火时间和退火温度两个关键因素对样品电阻值和接触表面形貌的影响.采用半导体分析仪、扫描电镜(SEM)和高低温探针台等测试设备以及传输线模型测试方法对样品的欧姆接触性能进行分析,得出了不同温度和时间与欧姆接触的关系.实验结果表明:样品在退火条件为570℃,80 min时电阻的I-V(伏安特性)曲线呈线性,阻值符合设计值,比接触电阻率小,在0~400℃测试环境下电阻值比较稳定....
摘要:提出了一种非同一平面的双弯曲梁的压阻式加速度计,在加速度作用下该结构梁的质心与质量块的质心对齐,从而实现低横向效应.利用SOLIDWORKS软件建立了结构模型,并用Comsol仿真软件和有限元ANSYS仿真软件对其进行静态分析、模态分析和电学性能分析.分析了影响频率和灵敏度的相关参数,对加速度计的结构参数进行了优化.设计了一套版图以及工艺加工方案,采用微电子机械系统(MEMS)标准工艺完成了加速度计的制备.最后进行精密离心机测试,结果表明该结构的加速度计具有较低的横轴灵敏度,其中X轴的横向灵敏度为0.078%,Y轴的横向灵敏度为0.002%,比较高的主轴灵敏度,Z轴灵敏度为0.64 mV/g....
摘要:颅内压力的监测对颅内疾病的诊断和治疗有重要的作用,基于硅的压阻效应,设计了一种可用于人体颅内压力监测的植入式压力传感器.根据压阻效应原理和薄板变形理论,完成了颅压传感器力学结构和电学性能的设计,然后采用微电子机械系统(MEMS)加工工艺完成了敏感芯片的制备,并提出了一种具有生物兼容性的绝缘封装结构.同时搭建了绝缘性测试平台和性能测试平台,通过测试证明封装后的传感器具有良好的绝缘性和抗渗透能力,且其灵敏度可达到1.608 mV/kPa,可对颅压的变化做出响应,为颅压传感器的批量化生产奠定了研究基础....
摘要:利用355nm全固态紫外激光对硼硅玻璃进行了直写刻蚀实验, 采用单一变量法探究了激光能量密度、重复频率、扫描速度、扫描间距、扫描次数对刻蚀结果的影响.研究结果表明, 激光能量密度过大时, 玻璃易发生严重的崩边裂损现象;等离子体屏蔽效应随激光能量密度的增大而增强, 刻蚀深度减小;随着重复频率的减小, 通道边缘碎裂的现象减轻, 刻蚀深度增大;减小扫描间距可有效改善沟道底面的平整度;刻蚀深度随扫描次数的增多而增大, 同时沟道锥度增大.在较优的加工参数下, 实现了宽度为84.8μm, 刻蚀深度为178μm, 底面较平整, 沟道垂直度达89.580°的L型微通道的直写刻蚀....
摘要:设计并制备了一种基于绝缘体上硅(SOI)材料、量程为5 Pa~1.8 MPa的压阻式压力传感器.在设计方面,通过有限元分析软件和经典理论相结合分析敏感膜片的力学性能和电学性能,得到敏感膜片的尺寸和表面电势的分布;在工艺方面,设计了基于标准微电子机械系统(MEMS)工艺的制作流程;在芯片的封装方面,为保证敏感芯片与外界的电气互连,采用了引线键合工艺,同时装配温度补偿电路和信号调理电路降低了传感器的温漂,保证传感器的输出.制备后的压力传感器在温度压力复合平台进行标定和温度测试,结果显示传感器在设计量程范围内具有较好的精度并且可在-50~205℃内稳定工作....
摘要:为了实现对压阻式压力传感器灵敏度的准确预估,针对传统中心点算法的不足,采用了一种基于对敏感薄膜应力分布的有限元仿真分析和路径积分的仿真方法.通过对电阻所在路径线积分计算电阻平均变化率,计算出不同压力下的输出电压.对2种不同的模型四边固支的方形膜模型和底面固支的C型模型,进行仿真分析并将仿真结果和实际值对比.实验结果表明底面固支的C型模型比四面固支的方形模型更接近实际情况.传感器样品的实际灵敏度为0.1025 mV/kPa,与底面固支的C型模型仿真结果相对误差小于2%....
摘要:针对绝缘体上硅(SOI)压力传感器平模结构下压敏电阻所在区域应力跨度过大而导致的线性度降低问题,采用了岛膜结构改善敏感膜片表面的应力分布,使压敏电阻能够完全布置在应力集中区,从而提高传感器的灵敏度和线性度.使用有限元分析软件对岛膜结构进行力学性能分析,根据敏感膜片表面应力分布情况确定压敏电阻最优的位置分布,并完成敏感芯片的制备.对完成的敏感芯片进行封装并进行温度-压力的复合测试,测试结果表明在19~200℃、量程2 MPa范围内,该传感器有较高的灵敏度(0.055 mV/kPa)和线性度(0.995)....
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