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[专利] 发明专利 CN201811163919.7
大连理工大学 2019-01-25
摘要:本发明属于碳化硅半导体器件可靠性测试技术领域,一种SiC MOSFET器件低温稳定性的评价测试方法,包括以下步骤:(1)将经过ECR氮等离子体钝化处理的样品放入探针台,抽真空,降温,(2)对施加电场应力前的样品进行C‑V曲线测量,(3)对施加电场应力后的样品进行C‑V曲线测量,(4)计算施加电场应力前后C‑V曲线的漂移量,(5)评价ECR氮等离子体钝化工艺对器件稳定性的影响。本发明在低温(80~300K)测量时排除了可动电荷和固定电荷对SiC MOSTET器件稳定性的影响,可以探究钝化工艺对氧化层陷阱和界面陷阱单独的钝化效果,计算出样品的氧化层陷阱电荷数和界面陷阱电荷数,可用来评估SiC MOSFET器件的低温稳定性。
[专利] 发明专利 CN201811163899.3
大连理工大学 2018-12-28
摘要:本发明涉及碳化硅半导体器件制造及可靠性技术领域,一种提高SiC MOSFET器件高、低温稳定性的钝化方法,包括以下步骤:(1)采用RCA工艺清洗,(2)高温热氧化,(3)氮氢混合等离子体钝化处理,(4)涂胶、光刻、腐蚀、去胶、离子注入以形成源区和漏区,(5)完成SiC MOSFET的制作。本发明通过氮氢混合等离子体中N‑H的协同作用有效的钝化氧化层陷阱和界面陷阱,其中H元素可以在N钝化的基础上近一步钝化氧化层陷阱和界面陷阱,并将多余的氮产生的深能级陷阱移向禁带下半部分或禁带之外,减少了陷阱对MOS器件稳定性的影响,提高了SiC MOSFET器件在低温(80~300K)和高温(300~500K)下的稳定性。
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