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[期刊论文] 张辉 安振涛 唐清 李文超
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北大核心 CSTPCD CSCD AJ CA EI SCIE CBST SA
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摘要:采用新颖的准气相反应法、经600~800 ℃煅烧后,制备出了具有均匀介孔显微结构和花生样纳米晶粒的立方ZrO2微球.通过计算和TEM检测对介孔微球中花生样纳米晶粒的大小进行了表征.结果表明:尽管在600℃时晶粒大小的计算值与TEM表征值并不十分吻合,但计算的晶粒大小仍然是可信的;而且将计算的晶粒大小与TEM表征结果相结合能够更全面、准确地评价晶粒的大小,形貌和聚集状态....
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北大核心 CSTPCD CSCD AJ CA EI SCIE CBST SA
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摘要:采用一种新颖的基于WEB的人工神经网络-遗传算法系统对介孔立方ZrO2球形粒子准气相反应合成的新工艺进行了建模与优化设计.结果表明,合成最小粒径ZrO2前驱物球的最优参数为:M[ZrOCl2·8H2O]=0.49 mol/L,VS=0.035 m3/h,P=99.80 kPa;ZrO2前驱物球的最小平均粒径为0.75μm.通过实验验证,此最优参数下合成的ZrO2前驱物球平均粒径为0.72 μm,计算值与实验值符合的较好.将合成的最小粒径前驱物球经干燥和600℃煅烧后,得到了平均粒径为0.64 μm的介孔立方ZrO2球....
[期刊论文] 张辉 安振涛 张登君 唐清
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北大核心 CSTPCD CSCD AJ CA SCI SCIE CBST
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摘要:采用新颖的准气相反应法,合成出了球形度好、表面光滑的ZrO2微球.通过对产物的SEM,TEM和XRD表征,研究了煅烧温度对ZrO2球结构特性的影响.结果表明:经600~800℃煅烧后,生长完好的ZrO2球,其显微结构为均匀多孔结构,纳米晶粒呈花生样的长条形状;ZrO2球的相由主要的立方相和少量的四方相组成....
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北大核心 CSTPCD CSCD AJ CA SCI SCIE CBST
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摘要:提出了一种工艺简单、成本低廉的准气相反应合成ZrO2球的新方法.通过对产物的SEM观测表明:该方法制备的ZrO2粒子为较好的球形,球表面光滑;其平均粒径1.71 μm,标准偏差0.49 μm;球有三种结构:均匀致密结构、核心疏松外层致密结构和空心结构;经600℃煅烧后,XRD分析确定ZrO2球的相组成主要为立方相....
[期刊论文] 张辉 朱红 唐清
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北大核心 CSTPCD CSCD AJ CA SCIE CBST
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摘要:单分散亚微米胶体球的三维有序体,由于其在可见光波长范围内,具有优异的长程周期性,因而成为很有前途的三维光带隙材料(光子晶体)之一[1~4].应用单分散胶体球的自有序法,近年来一些研究小组已经制备出了可见光波段的光子晶体[5~8],并研究了它们的光子效应.这些光子晶体包括SiO2光子晶体(人工Opal)和聚苯乙烯光子晶体及其它材料的光子晶体(如TiO2[9]、金属[1]等).SiO2光子晶体通过光学透射谱测试和显微形貌观测两方面均证实了其结构为类面心立方(FCC)型SiO2球的密堆积[10,11];而聚苯乙烯光子晶体的三维有序膜,只进行光学测试还不能说明它的堆积结构特征,所以聚苯乙烯球的密堆积方式尚不十分清楚....
[期刊论文] 唐清 李艳 赵方玮 郑琼林
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CSTPCD 北大核心
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摘要:对高频工况下氮化镓(GaN)器件的开关特性精确测量进行了研究,基于市面上两种不同类型的GaN器件,对其开关特性进行对比测试,分析高频工况下不同类型GaN器件的优势.首先,分析不同测量方式对电流测量波形的影响,选择适用于高频工况下的电流测量方式;其次,对高频驱动回路进行优化布局,减小寄生电感,使得开关特性测量结果更为精确;最后,基于双脉冲测试平台,分别对共源共栅(Cascode)型和单体增强(E-Mode)型两类GaN器件进行开关特性测试,明确各自特性优势和应用场合....
[硕士论文] 唐清
电气工程 北京交通大学 2018(学位年度)
摘要:氮化镓(GaN)器件基于高开关速度、低导通电阻以及更高的电流密度等性能优势成为了应用热点。但是GaN器件在应用中开关速度极快,且在满足环路布局设计需求时,其高频环路阻尼较小,这会导致电路容易发生误开通振荡,并带来GaN基电路的稳定性问题,如发散振荡,特别是在桥式电路中。因此,本文将从电路和稳定性两个角度对桥式电路中的振荡及稳定性问题展开研究。
  首先基于双脉冲等效电路,对两种不同封装GaN器件被动管发生误开通的振荡机理进行分析。得出非开尔文GaN器件是由栅漏极电容的充放电电流和共源电感上的感应电压构成主要振荡诱因,开尔文GaN器件是由栅漏极电容的充放电电流构成主要振荡诱因,并通过LTSpice仿真验证了理论分析的正确性。
  其次通过对比两种振荡器稳定性判据,将负阻振荡器理论作为GaN基电路的稳定性准则。对两种不同封装GaN基电路分别建立开通和关断振荡小信号模型,并构造出类比负电导模型,从而判断GaN基电路的稳定性。得出GaN基电路的稳定性与被动管跨导系数gm1值有关,且gm1值越大,电路越容易发生发散振荡;非开尔文GaN器件容易在开通过程中发生发散振荡,而开尔文GaN器件电路不容易发生稳定性问题,并通过双脉冲测试平台验证了理论分析的正确性。
  最后从主动和被动抑制角度对提高GaN基电路稳定性的抑制措施进行了分析,针对主动抑制措施本文提出设计一款封装GS66508D裸芯的GaN半桥模块,使其上寄生电感减小为原来的1/10以上,并给出了详细判断GaN基电路稳定性的步骤及方法。同时对额外增加阻尼器的被动抑制措施进行了仿真分析和实验验证。
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