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摘要:为了改善蓝光大功率LED芯片p电极处的电流拥挤现象,提高大功率LED芯片的外量子效率,在ITO透明导电层与p-GaN间沉积插指型SiO2电流阻挡层.采用等离子体增强化学气相沉积的方法沉积SiO2薄膜,再经过光刻和BOE湿法刻蚀技术制备插指型SiO2电流阻挡层.采用SimuLED仿真软件分析插指型SiO2电流阻挡层对大功率LED芯片电流扩展性能的影响,研究插指型SiO2电流阻挡层对大功率LED芯片外量子效率的影响.结果发现,插指型SiO2电流阻挡层结构可以有效改善p电极附近的电流拥挤现象.与没有沉积插指型SiO2电流阻挡层的大功率LED芯片相比,光输出功率得到显著的提高.在350 mA的输入电流下,沉积插指型SiO2电流阻挡层后的大功率LED芯片的外量子效率提高了18.7%....
[期刊论文] 刘梦玲 陈嘉宇 孙洪
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北大核心 CSTPCD CSCD EI SA
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摘要:提出了一种基于Joint Boost特征选择的合成孔径雷达(synthetic aperture radar,SAR)信息可视化方法。实验选用了ESAR的德国某机场的极化干涉SAR数据,提取几乎所有极化干涉信息分量构成较为完备的特征信息集合,实验结果证明了该方法的有效性。...
[专利] 发明专利 CN201910432226.1
武汉大学 2019-09-20
摘要:本发明公开了一种深紫外LED芯片及其制备方法,深紫外LED芯片的N电极包括N型AlGaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、AlN/GaN超晶格欧姆接触层和P型GaN层;其中AlN/GaN超晶格由厚度为原子层级的掺杂或者不掺杂的AlN层和GaN层组成;采用激光直写等光刻的方法刻蚀P型GaN层,形成纳米级周期性图形,在P型GaN层上制备蒸镀透明导电层和由多层金属组成的P电极焊盘,N电极为由轻掺杂的P‑型AlGaN层、重掺杂的P++型AlGaN层、重掺杂的N++型AlGaN层和轻掺杂的N‑型AlGaN层组成的隧穿结,在隧穿结上制备N电极焊盘,N电极和P电极分别制备然后键合到导电衬底上,本发明提高深紫外LED芯片的光提取效率,增强了深紫外LED芯片的电流扩展性能和热扩散性能。
[硕士论文] 刘梦玲
机械电子工程 武汉大学 2019(学位年度)
[专利] 发明专利 CN201710161944.0
武汉大学 2017-07-14
摘要:本发明提供了一种能够有效提高光输出功率和发光效率的紫外发光二极管外延结构及其制备方法。本发明所涉及的紫外发光二极管外延结构,其特征在于,从下往上依次包括:衬底、AlN成核层、u型GaN缓冲层、第一n型AlGaN层、重掺杂n型GaN层、第二n型AlGaN层、轻掺杂n型GaN层、InGaN/AlGaN超晶格层、InGaN/AlInGaN有源层、p型AlInGaN层、p型AlInGaN/InGaN超晶格层、p型GaN层、重掺杂p型GaN层,其中,第一n型AlGaN层的厚度为60~100nm,第二n型AlGaN层的厚度为20~50nm。
[专利] 发明专利 CN201610954442.9
武汉大学 2017-03-22
摘要:本发明公开了一种倒装LED芯片电极及其制备方法。一种倒装LED芯片电极由金属掺杂薄膜层组成,金属掺杂薄膜层主体为高反射率的金属材料,通过共溅射的方法在其中掺杂有1~10%具有高功函数的金属材料,由此金属掺杂薄膜层形成的P电极结构简单,不仅具有高的反射率,能有效地提高出光率,还能与P型半导体形成良好的欧姆接触。
[专利] 发明专利 CN201610952684.4
武汉大学 2017-02-22
摘要:本发明公开了一种LED芯片透明电极及其制造方法,该透明芯片电极由高透射率的超薄金属掺杂银膜构成,超薄金属掺杂银膜由金属Ag掺杂一定比例的具有高功函数的金属采用共溅射的方式形成,通过控制溅射流量的方法控制金属的掺杂比例,控制溅射的时间可控制超薄金属掺杂银膜的厚度,以此方法形成的超薄金属掺杂银膜为单层金属合金,结构简单,该超薄金属掺杂银膜能与P型半导体形成良好的欧姆接触且具有高的透射率,简化了LED芯片的结构,提高了LED芯片的出光效率。
摘要:从加深对信号处理系列课程的理解并巩固掌握的目的出发,在分析信号处理系列课程配套实验课程的基础上,结合武汉大学国家电工电子实验教学示范中心教改项目,提出基于网络虚拟实验室的基础实验和基于FPGA(Field Programmable Gate Array)的项目导向实验,这是两个层次分明又相互打通的信号处理系列课程实验体系,该实验体系在信号处理实验课程方面取得显著的效果....
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