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[硕士论文] 侯建华
物理学 牡丹江师范学院 2017(学位年度)
摘要:硒化镉半导体材料是中高温热电材料的一种,可以用其来制造核辐射检测器,本论文利用国产六面顶压机在高温高压下合成了硒化镉半导体材料,并对合成的硒化镉样品部分进行了表征研究。
  本实验采用硒粉和镉粉作为原料,在压力3.0Gpa、温度1300℃的条件下,成功制备了硒化镉半导体材料,并对样品进行了 XRD、扫描电镜检测,对样品进行了结构及形貌剖析,测试了样品的密度、硬度、阻抗等。
  实验结果表明:高温高压方法能够合成硒化镉半导体材料,样品致密性好,晶界清晰,硬度大且机械特性能比较好。与其他合成方法相比较,高温高压合成方法减少了合成过程的繁杂步骤,用时较短,纯度较高,不产生有害气体等,可能会成为硒化镉合成的一种新的途径。
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