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首页 > 期刊首页 >微电子学 >2005年1期  > RF/MW MEMS开关中聚酰亚胺的牺牲层技术研究
RF/MW MEMS开关中聚酰亚胺的牺牲层技术研究
An Investigation into Polyimide Sacrificial Layer for RF/MW MEMS Switch
摘要: 目前,聚酰亚胺已成为MEMS开关中一种主要的牺牲层材料.在涂胶前,对聚酰亚胺进行低温和高温两步热处理,使其满足光刻的要求.光刻腐蚀后固化处理,使其固化表面平坦、耐腐蚀.显影后选择不同固化处理温度和时间,对聚酰亚胺的性质有不同的影响.MEMS开关的梁结构完成后,聚酰亚胺需通过刻蚀的方法去除.实验结果表明,固化温度小于170℃,可采用碱性溶液湿法腐蚀的方法去除;...   查看全部>>

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