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首页 > 期刊首页 >电路与系统学报 >2016年期  > 磁控溅射法制备Si1−xGex/B多层薄膜及其热电性能研究
磁控溅射法制备Si1−xGex/B多层薄膜及其热电性能研究
Thermoelectric Property of Si1?xGex/B Multilayer Thin Film Prepared by Magnetron Sputtering
摘要: 本文通过磁控溅射法制备了一种独特的SiGe/B五层结构薄膜材料,每层结构包含60 nm的Si60Ge40层和0.55 nm的B层。实验考察了薄膜材料的热电性能,结果表明:B掺杂的溅射时间最佳为30 s;当退火温度为650℃时,薄膜的致密性最好,且在此温度下具有较高的Seebeck系数,最大值为6.75×10?4 V/K,电阻率最小值为1.6×10?5?·m,...   查看全部>>

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