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首页 > 期刊首页 >南京工业大学学报(自然科学版) >2016年4期  > Bi再掺杂对Mg2Si0.985Bi0.015热电材料性能的影响
Bi再掺杂对Mg2Si0.985Bi0.015热电材料性能的影响
Effects of additional Bi-doping on properties of Mg2Si0.985Bi0.015 thermoelectric material
摘要: 本文考察Bi再掺杂对Mg2Si0.985Bi0.015基体的组成、微观结构以及电子输运与热导率等方面的影响.采用X线衍射仪(XRD)和电子能谱(EDS)等对样品进行表征分析.结果表明:再掺杂的Bi除部分进入Mg2Si0.985Bi0.015基体外,其余在晶界处生成Mg3Bi2.由于Mg2Si中Bi量的提高使得载流子浓度增加,进而增大样品的电导率,而塞贝克系数...   查看全部>>

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