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首页 > 期刊首页 >南京工业大学学报(自然科学版) >2014年3期  > Ar/O2对磁控溅射法制备Bi1.5MgNb1.5O7薄膜结构与性能的影响
Ar/O2对磁控溅射法制备Bi1.5MgNb1.5O7薄膜结构与性能的影响
Effects of Ar/O2 on structure and properties of Bi1.5MgNb1.5O7 films prepared by magnetron sputtering
摘要: 采用射频磁控溅射法在不同Ar/O2流速比下制备铌镁酸铋(Bi1.5 MgNb15O7,BMN)薄膜.通过X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和阻抗分析仪分别对薄膜的相结构、表面形貌和介电性能进行表征.结果表明:经过700℃ O2气氛下退火处理,BMN薄膜形成立方焦绿石单相结构.当Ar/O2流速比为2∶1时溅射薄膜的表面粗糙度较小,漏电流较低,具有高的...   查看全部>>

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