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首页 > 期刊首页 >红外与毫米波学报 >2015年6期  > 硒化温度对Cu(In,Al) Se2薄膜结构和光学性质的影响
硒化温度对Cu(In,Al) Se2薄膜结构和光学性质的影响
The influence of selenization temperatures on the structural and optical properties of Cu (In, Al) Se2 thin films
摘要: 采用了磁控溅射制备Cu-In-Al金属前驱体薄膜,后硒化快速退火得到铜铟铝硒(Cu(In,Al) Se2,CIAS)薄膜.研究了硒化温度对CIAS薄膜晶体结构和光学性质的影响.研究发现CIAS薄膜的晶体结构依赖于硒化温度,其禁带宽度随硒化温度升高发生红移.研究结果表明,CIAS薄膜的最佳硒化温度为540℃,其晶体结构为纯黄铜矿结构,禁带宽度为1.34 eV,...   查看全部>>

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