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首页 > 期刊首页 >红外与毫米波学报 >2012年5期  > 掺砷碲镉汞的光致发光光谱和电学性质
掺砷碲镉汞的光致发光光谱和电学性质
Photoluminescence and electrical characteristics of arsenic-doped HgCdTe
摘要: 碲镉汞的电学性能和光学性能直接决定探测器性能.对窄禁带掺砷碲镉汞进行了11 ~ 300 K的红外光致发光光谱和变温霍尔测量.对变温光致发光光谱进行了拟合分析,结果表明经通用的两步退火,样品不仅存在砷占碲位(AsTe)、汞空位(VHg)和TeHg-VHg对,还存在碲反位(TeHg).掺杂浓度越大,退火产生的TeHg-VHg对越多.变温霍尔分析进一步证明通用的两...   查看全部>>

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