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首页 > 期刊首页 >高等学校化学学报 >2007年9期  > 金属有机化学气相沉积法制备SnO2/MCM-41半导体传感器及其性能研究
金属有机化学气相沉积法制备SnO2/MCM-41半导体传感器及其性能研究
Preparation of SnO2/MCM-41 Semiconducter Sensors with MOCVD and Their Properties
摘要: 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在介孔分子筛MCM-41的孔道之中.SnO2/MCM-41半导体传感器对CO和H2具有较高的传感性能...   查看全部>>

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