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首页 > 期刊首页 >东南大学学报(英文版) >2018年4期  > 辐照对4 H-SiC VDMOS电学参数的影响
辐照对4 H-SiC VDMOS电学参数的影响
Investigation of radiation influences on electrical parameters of 4 H-SiC VDMOS
摘要: 研究了辐照对4 H-SiC纵向双注入金属氧化物场效应晶体管(VDMOS)电学参数的影响.通过SRIM和SILVACO软件仿真,观察到器件不同区域引入损伤后电学参数的漂移.仿真结果表明,不同区域的损伤会造成器件电学参数不同的退化.器件JFET区的非电离损伤会使器件的导通电阻增大,而靠近碰撞电离中心的非电离损伤会使器件的击穿电压增大.辐照在器件界面处引入的正电荷...   查看全部>>
Abstract:

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