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首页 > 期刊首页 >东南大学学报(英文版) >2014年1期  > 一种新型优化热载流子退化效应的 SOI-LIGBT
一种新型优化热载流子退化效应的 SOI-LIGBT
Novel lateral insulated gate bipolar transistor on SOI substrate for optimizing hot-carrier degradation
摘要: 提出了一种新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT),该晶体管在沟道下方的 P 型体区旁增加了一个特殊的低掺杂 P 型阱区,在不增加额外工艺的基础上减小了器件线性区电流的退化.分析了低掺杂 P 阱的宽度和深度对 SOI-LIGBT 器件热载流子可靠性的影响.通过增加低掺杂 P 型阱区的宽度,可以减小器件的纵向电场峰值和碰撞电离峰值,从而优化器...   查看全部>>
Abstract:

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