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首页 > 期刊首页 >电子学报 >2003年12期  > 低电压驱动的硅基Ka波段级联式MEMS移相器
低电压驱动的硅基Ka波段级联式MEMS移相器
MEMS Distributed Phase Shifter on High-Resistivity Silicon with Low Pull-Down Voltage
摘要: 通过在共平面波导上周期性地分布微机械电容,外加电压驱动改变电容值,可实现级联式MEMS移相器.本文讨论了优化相移特性对共平面波导特性阻抗及下拉电压的要求,通过工艺参数优化制备了高阻硅基上的Ka波段级联式MEMS移相器,测试结果表明制备器件具有较低的驱动电压,8V时即产生明显的相移量,在36GHz处15V驱动电压时相移量为118°,25V时为286°.对微结构...   查看全部>>

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