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首页 > 期刊首页 >爆破器材 >2017年4期  > Al/MoO3薄膜厚度对含能半导体桥发火特性的影响
Al/MoO3薄膜厚度对含能半导体桥发火特性的影响
Influence of Film Thickness of Al/MoO3 on Ignition Performance of Energetic Semiconductor Bridge
摘要: 使用微细加工技术在半导体桥上分别集成3μm和6 μm厚度的Al/MoO3纳米含能复合薄膜,制备成含能半导体桥,并使用电容放电的激发方式,研究薄膜厚度对含能半导体桥发火特性的影响.研究发现,随着薄膜厚度的增加,含能半导体桥的临界发火时间和临界发火能量无显著性变化,电容放电的作用总时间、作用总能量和能量利用效率降低,能量输出效率显著增加.  
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