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首页 > 专利首页 > 一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法
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一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法
摘要: 本发明公开了一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料为n型半导体,分子式为BiFe1-xAxO3,其中x为0.0005-0.5,A为Nb或Mn元素中的一种或两种,且其厚度为15-500nm,电阻率为8.6×10-5-3×10-3Ω·cm,n型载流子浓度为1.4×1019-1.6×1022cm-3。本发明通过调节掺杂量,精确调控其电阻率、n型载流子...   查看全部>>
  • 专利类型:
    发明专利
  • 申请/专利号:
    CN201310223929.6
  • 申请日期:
    2013-06-04
  • 公开/公告号:
    CN103343315A
  • 公开/公告日:
    2013-10-09
  • 主分类号:
    C23C14/06(2006.01)I  C  C23  C23C  C23C14 
  • 分类号:
    [C23C14/06(2006.01)I, C23C14/06]
  • 申请/专利权人:
  • 发明/设计人:
  • 主申请人地址:
    210094 江苏省南京市孝陵卫200号
  • 专利代理机构:
    南京理工大学专利中心 32203
  • 代理人:
    朱显国
  • 国别省市代码:
    江苏;32
  • 主权项:
    一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料,其特征在于所述薄膜材料为n型半导体,分子式为 BiFe1‑xAxO3,其中x为0.0005‑0.5,A为Nb或Mn元素中的一种或两种。
  • 法律状态:
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