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首页 > 专利首页 > 一种单相铁电薄膜、制备方法及有效电阻调控方式
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一种单相铁电薄膜、制备方法及有效电阻调控方式
摘要: 本发明公开了一种通过铁电极化可以调控有效电阻的单相铁电薄膜、制备方法及有效电阻调控方式。本发明的单相铁电薄膜包括B位掺杂的锆钛酸钡Ba1-xSrxTi1-yByO3、铁酸铅Pb(Fe1-yBy)O3、钴酸铅Pb(Co1-yBy)O3、锆钛酸铅(Pb1-xAx)(ZryTi1-y)O3、A位掺杂的锰酸钇Y1-xAxMnO3、铁酸铋Bi1-xAxFeO3、钛酸铋...   查看全部>>
  • 专利类型:
    发明专利
  • 申请/专利号:
    CN201010559251.5
  • 申请日期:
    2010-11-25
  • 公开/公告号:
    CN102157682A
  • 公开/公告日:
    2011-08-17
  • 主分类号:
    H01L45/00(2006.01)I  H  H01  H01L  H01L45 
  • 分类号:
    [H01L45/00(2006.01)I, C23C14/28(2006.01)I, C23C14/35(2006.01)I, C23C14/06(2006.01)I, H01L45/00, C23C14/28, C23C14/35, C23C14/06]
  • 申请/专利权人:
  • 发明/设计人:
  • 主申请人地址:
    210094 江苏省南京市孝陵卫200号
  • 专利代理机构:
    南京理工大学专利中心 32203
  • 代理人:
    朱显国
  • 国别省市代码:
    江苏;32
  • 主权项:
    一种单相铁电薄膜,其特征在于:包括B位掺杂的锆钛酸钡Ba1?xSrxTi1?yByO3、铁酸铅Pb(Fe1?yBy)O3、钴酸铅Pb(Co1?yBy)O3、锆钛酸铅(Pb1?xAx)(ZryTi1?y)O3、A位掺杂的锰酸钇Y1?xAxMnO3、铁酸铋Bi1?xAxFeO3、钛酸铋Bi4?xAxTi3O12,其中0£x£0.8,0£y£0.8,A为Sr、Er、Tm、Yb、Lu、Sc、La、Nd、Tb、Sm、Pr、Mg中的一种或多种金属离子,B为Co、Fe、Nb、Mn、Zr、Zn中的一种或多种金属离子。
  • 法律状态:
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