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低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法
摘要: 本发明公开了一种低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法,其工艺如下:根据应用需要选择合适的衬底和靶材,在衬底上生长碳化硅薄膜;将衬底及靶材的表面清洗干净送入真空生长腔,使用机械泵和分子泵对真空生长腔抽真空;对衬底使用加热器加热;在衬底加热的同时辅助添加外部光源,并使外部光源直接照射衬底;使用磁控溅射或激光脉冲生长碳化硅薄膜,沉积过程通过控制沉积频率控制生长的...   查看全部>>
  • 专利类型:
    发明专利
  • 申请/专利号:
    CN201010559109.0
  • 申请日期:
    2010-11-25
  • 公开/公告号:
    CN102051589A
  • 公开/公告日:
    2011-05-11
  • 主分类号:
    C23C14/35(2006.01)I  C  C23  C23C  C23C14 
  • 分类号:
    [C23C14/35(2006.01)I, C23C14/28(2006.01)I, C23C14/06(2006.01)I, C23C14/54(2006.01)I, C23C14/58(2006.01)I, C23C14/35, C23C14/28, C23C14/06, C23C14/54, C23C14/58]
  • 申请/专利权人:
  • 发明/设计人:
  • 主申请人地址:
    210094 江苏省南京市孝陵卫200号
  • 专利代理机构:
    南京理工大学专利中心 32203
  • 代理人:
    朱显国
  • 国别省市代码:
    江苏;32
  • 主权项:
    一种低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法,其特征在于:将衬底表面温度分为三个部分,第一部分是由加热系统对衬底加热所显示的温度,第二部分,溅射出来的粒子沉积在衬底上,溅射出来的粒子携带有大量的能量,沉积的同时也提高了衬底表面的能量,第三部分,在生长过程的同时,使用外部光源照射在衬底片上,对衬底表面进行光催化,提高衬底表面的活性和能量;其中二、三部分的能量无法通过生长系统测试,通过增加第二、第三部分的能量,降低生长碳化硅薄膜过程中加热系统的温度;具体步骤如下:第一步:根据应用需要选择合适的衬底,在适合的衬底上生长碳化硅薄膜;?第二步:将选用的衬底及靶材的表面清洗干净送入真空生长腔,使用机械泵和分子泵对真空生长腔抽真空;第三步:对衬底使用加热器加热;第四步:在衬底加热的同时辅助添加外部光源,并使外部光源直接照射衬底,对衬底进行辅助光催化,提高衬底表面活性;第五步:在衬底加热的同时,使用磁控溅射或激光脉冲生长碳化硅薄膜,使靶材物质溅射出来沉积在衬底上,通过增加溅射粒子的能量和薄膜生长速度,提高样品表面的实际温度和表面活性,从而控制的碳化硅晶体类型;第六步:对衬底进行退火,退火时可用气氛保护。
  • 法律状态:
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