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衬底温度及Gd掺杂对HfO2薄膜结构与性能的影响
摘要: 本论文采用反应射频磁控溅射技术制备了一系列不同衬底温度的HfO2薄膜及不同Gd掺杂量的HfGdO薄膜,其中对于HfGdO薄膜,通过改变Gd靶材的数量来调节薄膜中[Gd]/[Hf+Gd]原子比(其值介于0-72%)。采用电子探针显微镜(EPMA)、X-射线衍射(XRD)分析仪、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光分光光度计、室温光致荧光光谱对薄膜进行了表征,分...   查看全部>>

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